APPARATUSES AND METHODS FOR DETECTING WRITE COMPLETION FOR RESISTIVE MEMORY

• Main Authors: DRAY, CYRILLE, ROY, ANANDA, LIN, BLAKE C, HAMZAOGLU, FAITH, WEI, LIQIONG
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 03.12.2015
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Described are apparatuses and methods for improving resistive memory energy efficiency and reliability. An apparatus may include a resistive memory cell coupled to a conductive line. The apparatus may further include a driver coupled to the conductive line to drive current for the resistive memory cell during a write operation. The resistance of the driver may be selectively increased for two or more time periods during the write operation for detecting a voltage change on the conductive line. The current for the write operation may be turned off when the voltage change is detected to improve resistive memory energy efficiency and reliability. L'invention concerne des appareils et des procédés pour l'amélioration du rendement énergétique et de la fiabilité d'une mémoire résistive. Un appareil peut inclure une cellule mémoire résistive couplée à une ligne conductrice. L'appareil peut inclure en outre un pilote couplé à la ligne conductrice pour piloter le courant pour la cellule mémoire résistive pendant une opération d'écriture. La résistance du pilote peut être accrue sélectivement pour deux périodes de temps ou plus pendant l'opération d'écriture pour la détection d'un changement de tension sur la ligne conductrice. Le courant pour l'opération d'écriture peut être coupé lorsque le changement de tension est détecté pour améliorer le rendement énergétique et la fiabilité de la mémoire résistive.