CROSS-POINT MEMORY AND METHODS FOR FABRICATION OF SAME

• Main Authors: TORTORELLI, INNOCENZO, RAVASIO, MARCELLO, SCIARRILLO, SAMUELE, MOTTADELLI, RICCARDO, SOMASCHINI, ROBERTO, PELLIZZER, FABIO, CASELLATO, CRISTINA
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 03.09.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The disclosed technology relates generally to integrated circuit devices, and in particular to cross-point memory arrays and methods for fabricating the same, in one aspect, a method of fabricating cross-point memory arrays comprises forming a memory cell material stack which includes a first active material and a second active material over the first active material, wherein one of the first and second active materials comprises a storage material and the other of the first and second active materials comprises a selector material. The method of fabricating cross-point arrays further comprises patterning the memory cell material stack, which includes etching through at least one of the first and second active materials of the memory cell material stack, forming protective liners on sidewalls of the at least one of the first and second active materials after etching through the one of the first and second active materials, and further etching the memory cell material stack after forming the protective liners on the sidewalls of the one of the first and second active materials. La présente invention concerne une technologie qui se rapporte de manière générale aux dispositifs à circuit intégré, et en particulier aux réseaux de mémoire à points de croisement et aux procédés de fabrication de ceux-ci. Dans un aspect, un procédé de fabrication de réseaux de mémoire à points de croisement comprend la formation d'une pile de matériau de cellule de mémoire qui comprend un premier matériau actif et un deuxième matériau actif sur le premier matériau actif. L'un parmi les premier et deuxième matériaux actifs comprend un matériau de stockage et l'autre parmi les premier et deuxième matériaux actifs comprend un matériau de sélection. Le procédé de fabrication de réseaux à points de croisement comprend en outre le modelage de la pile de matériau de cellule de mémoire, ce qui inclut la gravure à travers au moins l'un des premier et deuxième matériaux actifs de la pile de matériau de cellule de mémoire, la formation de revêtements protecteurs sur les parois latérales de l'au moins l'un des premier et deuxième matériaux actifs après la gravure à travers l'un des premier et deuxième matériaux actifs, et la gravure supplémentaire de la pile de matériau de cellule de mémoire après la formation des revêtements protecteurs sur les parois latérales de l'un des premier et deuxième matériaux actifs.