PUMPING SYSTEM AND METHOD FOR LOWERING THE PRESSURE IN A LOAD-LOCK CHAMBER

• Main Author: BECOURT, NICOLAS
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 20.08.2015
• Subjects: BLASTING; HEATING; LIGHTING; MECHANICAL ENGINEERING; POSITIVE DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS; ROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENTMACHINES FOR LIQUIDS; ROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENTPUMPS; WEAPONS

The invention concerns a pumping system intended to be connected to a load-lock chamber (2) for loading and unloading a substrate (5), comprising at least a first primary pumping unit (9a, 9b) having a first maximum pumping speed (S1) and a second primary pumping unit (10a, 10b) having a second maximum pumping speed (S2), each primary pumping unit (9a, 9b, 10a, 10b) comprising a single-stage Roots vacuum pump (15) and a primary vacuum pump (13), the single-stage Roots vacuum pump (15) being mounted in series with and upstream from the primary vacuum pump (13) in the direction of flow of the gases to be pumped, said first and second primary pumping units (9a, 9b, 10a, 10b) being mounted in parallel and configured to simultaneously pump the load-lock chamber (2) for loading and unloading the substrate, characterised in that said first primary pumping unit (9a, 9b) has different pumping characteristics to said second primary pumping unit (10a, 10b), the difference between the first and second maximum pumping speeds of said first and second primary pumping units (9a, 9b, 10a, 10b) being greater than 500 m3/h. The invention also concerns a method for lowering the pressure in a load-lock chamber (2). L'invention concerne un système de pompage destiné à être raccordé à une enceinte (2) de sas de chargement et de déchargement d'un substrat (5), comportant au moins un premier groupe de pompage primaire (9a, 9b) ayant une première vitesse de pompage maximale (S1) et un deuxième groupe de pompage primaire (10a, 10b) ayant une deuxième vitesse de pompage maximale (S2), chaque groupe de pompage primaire (9a, 9b, 10a, 10b) comprenant une pompe à vide Roots monoétagée (15) et une pompe à vide primaire (13), la pompe à vide Roots monoétagée (15) étant montée en série et en amont de la pompe à vide primaire (13) dans le sens d'écoulement des gaz à pomper, lesdits premier et deuxième groupes de pompage primaire (9a, 9b, 10a, 10b) étant montés en parallèle et configurés pour pomper simultanément l'enceinte (2) du sas de chargement et de déchargement du substrat, caractérisé en ce que ledit premier groupe de pompage primaire (9a, 9b) présente des caractéristiques de pompage distinctes dudit deuxième groupe de pompage primaire (10a, 10b), l'écart entre les première et deuxième vitesses de pompage maximales desdits premier et deuxième groupes de pompage primaire (9a, 9b, 10a, 10b) étant supérieur à 500 m3/h. L'invention concerne également un procédé de descente en pression dans une enceinte (2) de sas de chargement et de déchargement.