SEMICONDUCTOR DEVICE, DRIVE DEVICE FOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT, AND POWER CONVERSION DEVICE

• Main Authors: HASHIMOTO TAKAYUKI, MORI MUTSUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.08.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This semiconductor device is provided with the following: a first-conductivity-type first semiconductor layer (7); a first-conductivity-type second semiconductor layer (1) that is adjacent to and has a lower impurity concentration than the first semiconductor layer; a second-conductivity-type third semiconductor layer (3) that is adjacent to the second semiconductor layer; a first-conductivity-type fourth semiconductor layer (5) inside the third semiconductor layer; a first electrode (10) that is electrically connected to the third semiconductor layer and the fourth semiconductor layer; a second electrode (11) that is electrically connected to the first semiconductor layer; and an insulated gate (8) provided on the surfaces of the third semiconductor layer and the fourth semiconductor layer. The peak impurity concentration of the third semiconductor layer (3) is between 2×1016 and 5×1018 cm-3, inclusive. La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteurs qui comprend les éléments suivants : une première couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (7); une deuxième couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (1) qui est adjacente à la première couche de semi-conducteur et présente une concentration en impuretés inférieure à celle de la première couche de semi-conducteur; une troisième couche de semi-conducteur d'un second type de conductivité (3) qui est adjacente à la deuxième couche de semi-conducteur; une quatrième couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (5) agencée à l'intérieur de la troisième couche de semi-conducteur; une première électrode (10) qui est raccordée électriquement à la troisième couche de semi-conducteur et à la quatrième couche de semi-conducteur; une seconde électrode (11) qui est raccordée électriquement à la première couche de semi-conducteur; et une grille isolée (8) agencée sur les surfaces de la troisième couche de semi-conducteur et de la quatrième couche de semi-conducteur. La concentration maximale en impuretés de la troisième couche de semi-conducteur (3) varie entre 2 × 1016 et 5 × 1018 cm-3 inclus.