ENHANCED CAPTURE PADS FOR THROUGH SEMICONDUCTOR VIAS

• Main Authors: LAFONTANT, GARY, VOLANT, RICHARD, P, PETRARC, KEVIN, S, FAROOQ, MUKTA, G, GRIESEMER, JOHN, A
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 15.05.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Method of forming a capture pad on a semiconductor substrate. The method includes providing a semiconductor substrate [300] having an active side and an inactive side and having a plurality of unfilled TSVs extending between the active side and the inactive side; filling the TSVs [304] with a metal such that the metal is recessed [316] with respect to at least one of the active side and the inactive side and does not entirely fill the TSVs; defining capture pad areas [314] on the at least one of the active side and inactive side adjacent to the recessed TSVs; filling the capture pad areas and recessed TSVs with the same metal to form a capture pad [308] in direct contact with each of the TSVs, each of the capture pads having an all metal portion that follows an outline of each of the TSVs. Also disclosed is a semiconductor substrate having a capture pad. L'invention concerne un procédé pour former une pastille de capture sur un substrat semi-conducteur, consistant à utiliser un substrat semi-conducteur (300) doté d'un côté actif et d'un côté inactif et comprenant une pluralité de vias traversant (TSV) non remplis s'étendant entre le côté actif et le côté inactif ; à remplir les TSV (304) d'un métal de telle sorte que ce dernier présente un retrait (316) par rapport à au moins l'un du côté actif et du côté inactif et ne remplit pas entièrement les TSV ; à définir des zones de pastilles de capture (314) sur au moins l'un du côté actif et du côté inactif adjacent aux TSV en retrait ; à remplir les zones de pastilles de capture et les TSV en retrait avec le même métal afin de former des pastilles de capture (308) en contact direct avec chacun des TSV, chacune des pastilles de capture ayant une partie tout métal qui épouse le contour de chacun des TSV. L'invention concerne également un substrat semi-conducteur ayant une pastille de capture.