TRANSPARENT-CONDUCTIVE-FILM LAMINATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, THIN-FILM SOLAR CELL, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

• Main Authors: MATSUMURA, FUMIHIKO, SOGABE, KENTARO, YAMANOBE, YASUNORI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 15.05.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CABLES; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; CONDUCTORS; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; INSULATORS; LAYERED PRODUCTS; LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT ORNON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM; METALLURGY; PERFORMING OPERATIONS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING ORDIELECTRIC PROPERTIES; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TRANSPORTING

Provided is a transparent-conductive-film laminate that has a low optical absorptance, exhibits a superb optical confinement effect, and is useful as a surface electrode when manufacturing a high-efficiency silicon thin-film solar cell. Also provided are a method for manufacturing said transparent-conductive-film laminate, a thin-film solar cell using said transparent-conductive-film laminate, and a method for manufacturing said thin-film solar cell. This transparent-conductive-film laminate has a structure in which an iridium-oxide transparent conductive film (I) formed with a surface roughness (Ra) of at most 1.0 nm and a zinc-oxide transparent conductive film (II) formed on top of said iridium-oxide transparent conductive film (I) are provided on top of a light-transmitting substrate. The laminate has a surface roughness (Ra) of at least 30 nm, a haze percentage of at least 8%, a sheet resistance of at most 30 /sq, and a mean absorptance of at most 15% with respect to light in the 400-1,200 nm wavelength range. L'invention concerne un stratifié à film conducteur transparent qui présente un faible pouvoir d'absorption optique, un excellent effet de confinement optique et qui est utile en tant que électrode de surface lors de la fabrication d'une cellule solaire à film mince à haut rendement au silicium. L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit stratifié à film conducteur transparent, une cellule solaire à film mince utilisant ledit stratifié à film conducteur transparent, et un procédé de fabrication de ladite cellule solaire à film mince. Le présent stratifié à film conducteur transparent présente une structure dans laquelle un film conducteur transparent (I) à l'oxyde d'iridium formé avec une rugosité de surface (Ra) inférieure ou égale à 1,0 nm et un film conducteur transparent (II) à l'oxyde de zinc formé par dessus ledit film conducteur transparent (I) à l'oxyde d'iridium sont placés par dessus un substrat transmettant la lumière. Le stratifié présente une rugosité de surface (Ra) d'au moins 30 nm, un pourcentage de voile d'au moins 8%, une résistance de couche d'au plus 30 /carré et un pouvoir moyen d'absorption d'au plus 15% par rapport à une lumière située dans la gamme de longueurs d'onde entre 400 et 1200 nm.