STATIC DEPOSITION PROFILE MODULATION FOR LINEAR PLASMA SOURCE

• Main Authors: VELLAIKAL, MANOJ, STEWART, MICHAEL P, POLYAK, ALEXANDER S, COX, MICHAEL S, PONNEKANTI, HARI K, MUNGEKAR, HEMANT P, ZHANG, LIN, WANG, CHIKUANG C, HAMMOND, EDWARD P., IV
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 17.10.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Methods and apparatus for controlling film deposition using a linear plasma source are described herein. The apparatus include a showerhead having openings therein for flowing a gas therethrough, a conveyor to support one or more substrates thereon disposed adjacent to the showerhead, and a power source for ionizing the gas. The ionized gas can be a source gas used to deposit a material on the substrate. The deposition profile of the material on the substrate can be adjusted, for example, using a gas-shaping device included in the apparatus. Additionally or alternatively, the deposition profile may be adjusted by using an actuatable showerhead. The method includes exposing a substrate to an ionized gas to deposit a film on the substrate, wherein the ionized gas is influenced with a gas-shaping device to uniformly deposit the film on the substrate as the substrate is conveyed proximate to the showerhead. Cette invention concerne des procédés et appareils de contrôle du dépôt de couches au moyen d'une source de plasma linéaire. Les appareils selon l'invention comprennent une tête d'arrosoir présentant des ouvertures pour l'écoulement d'un gaz, un transporteur supportant un ou plusieurs substrats, disposé de manière adjacente à la tête d'arrosoir, et une source d'alimentation pour ioniser le gaz. Le gaz ionisé peut être un gaz source utilisé pour déposer un matériau sur le substrat. Le profil de dépôt du matériau sur le substrat peut être adapté, par exemple au moyen d'un dispositif de mise en forme de gaz compris dans l'appareil. De plus ou en variante, le profil de dépôt peut être adapté au moyen d'une tête d'arrosoir actionnable. Le procédé selon l'invention comprend l'étape consistant à exposer un substrat à un gaz ionisé pour déposer une couche sur le substrat, ledit gaz ionisé étant influencé par un dispositif de mise en forme de gaz de façon à obtenir un dépôt uniforme de la couche sur le substrat à mesure que le substrat est transporté à proximité de la tête d'arrosoir.