HYBRID PULSING PLASMA PROCESSING SYSTEMS
A method for processing substrate in a processing chamber that has at least one plasma generating source and a gas source for providing a process gas into the chamber is provided. The method includes exciting the plasma generating source with an RF signal having an RF frequency. The method also incl...
Saved in:
Main Authors | , , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English French |
Published |
23.05.2013
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Abstract | A method for processing substrate in a processing chamber that has at least one plasma generating source and a gas source for providing a process gas into the chamber is provided. The method includes exciting the plasma generating source with an RF signal having an RF frequency. The method also includes pulsing the RF signal using at least one of amplitude, phase, and frequency of the RF signal having a first value during first portion of an RF pulsing period and a second value during second portion of RF pulsing period, which is associated with first source pulsing frequency. The method further includes pulsing the gas source such that the process gas flows into the chamber at a first rate during a first portion of a gas pulsing period and a second rate during a second portion of the gas pulsing period, which is associated with the gas pulsing frequency.
L'invention concerne un procédé de traitement de substrat dans une chambre de traitement qui présente au moins une source générant du plasma et une source de gaz destinée à alimenter un gaz de procédé dans la chambre. Le procédé inclut l'excitation de la source générant le plasma par un signal de RF présentant une fréquence de RF. Le procédé inclut également l'impulsion du signal de RF en utilisant au moins une parmi l'amplitude, la phase et la fréquence du signal de RF présentant une première valeur pendant une première partie d'une période d'impulsion de RF et une deuxième valeur pendant une deuxième partie de la période d'impulsion de RF, qui est associée à la première fréquence d'impulsion de la source. Le procédé inclut en outre l'impulsion de la source de gaz de manière telle que le gaz de procédé s'écoule dans la chambre à une première vitesse pendant une première partie d'une période d'impulsion de gaz et à une deuxième vitesse pendant une deuxième partie de la période d'impulsion de gaz, qui est associée à la fréquence d'impulsion du gaz. |
---|---|
AbstractList | A method for processing substrate in a processing chamber that has at least one plasma generating source and a gas source for providing a process gas into the chamber is provided. The method includes exciting the plasma generating source with an RF signal having an RF frequency. The method also includes pulsing the RF signal using at least one of amplitude, phase, and frequency of the RF signal having a first value during first portion of an RF pulsing period and a second value during second portion of RF pulsing period, which is associated with first source pulsing frequency. The method further includes pulsing the gas source such that the process gas flows into the chamber at a first rate during a first portion of a gas pulsing period and a second rate during a second portion of the gas pulsing period, which is associated with the gas pulsing frequency.
L'invention concerne un procédé de traitement de substrat dans une chambre de traitement qui présente au moins une source générant du plasma et une source de gaz destinée à alimenter un gaz de procédé dans la chambre. Le procédé inclut l'excitation de la source générant le plasma par un signal de RF présentant une fréquence de RF. Le procédé inclut également l'impulsion du signal de RF en utilisant au moins une parmi l'amplitude, la phase et la fréquence du signal de RF présentant une première valeur pendant une première partie d'une période d'impulsion de RF et une deuxième valeur pendant une deuxième partie de la période d'impulsion de RF, qui est associée à la première fréquence d'impulsion de la source. Le procédé inclut en outre l'impulsion de la source de gaz de manière telle que le gaz de procédé s'écoule dans la chambre à une première vitesse pendant une première partie d'une période d'impulsion de gaz et à une deuxième vitesse pendant une deuxième partie de la période d'impulsion de gaz, qui est associée à la fréquence d'impulsion du gaz. |
Author | GUHA, JOYDEEP JACOBS KANARIK, KEREN EPPLER, AARON, SCOTT FU, QUIAN LEE, WONCHUL |
Author_xml | – fullname: LEE, WONCHUL – fullname: EPPLER, AARON, SCOTT – fullname: GUHA, JOYDEEP – fullname: FU, QUIAN – fullname: JACOBS KANARIK, KEREN |
BookMark | eNrjYmDJy89L5WTQ8Ih0CvJ0UQgI9Qn29HNXCPBxDPZ1VAgI8nd2DQaLBEcGh7j6BvMwsKYl5hSn8kJpbgZlN9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUkvhwfyMDQ2MDcyMLY0NHQ2PiVAEAqconCg |
ContentType | Patent |
DBID | EVB |
DatabaseName | esp@cenet |
DatabaseTitleList | |
Database_xml | – sequence: 1 dbid: EVB name: esp@cenet url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP sourceTypes: Open Access Repository |
DeliveryMethod | fulltext_linktorsrc |
Discipline | Medicine Chemistry Sciences |
DocumentTitleAlternate | SYSTÈMES HYBRIDES À IMPULSIONS DE TRAITEMENT PAR PLASMA |
ExternalDocumentID | WO2013072831A1 |
GroupedDBID | EVB |
ID | FETCH-epo_espacenet_WO2013072831A13 |
IEDL.DBID | EVB |
IngestDate | Fri Jul 19 14:58:11 EDT 2024 |
IsOpenAccess | true |
IsPeerReviewed | false |
IsScholarly | false |
Language | English French |
LinkModel | DirectLink |
MergedId | FETCHMERGED-epo_espacenet_WO2013072831A13 |
Notes | Application Number: WO2012IB56341 |
OpenAccessLink | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130523&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013072831A1 |
ParticipantIDs | epo_espacenet_WO2013072831A1 |
PublicationCentury | 2000 |
PublicationDate | 20130523 |
PublicationDateYYYYMMDD | 2013-05-23 |
PublicationDate_xml | – month: 05 year: 2013 text: 20130523 day: 23 |
PublicationDecade | 2010 |
PublicationYear | 2013 |
RelatedCompanies | LAM RESEARCH AG GUHA, JOYDEEP JACOBS KANARIK, KEREN LAM RESEARCH CORPORATION EPPLER, AARON, SCOTT FU, QUIAN LEE, WONCHUL |
RelatedCompanies_xml | – name: EPPLER, AARON, SCOTT – name: GUHA, JOYDEEP – name: LAM RESEARCH AG – name: JACOBS KANARIK, KEREN – name: LAM RESEARCH CORPORATION – name: LEE, WONCHUL – name: FU, QUIAN |
Score | 2.8975146 |
Snippet | A method for processing substrate in a processing chamber that has at least one plasma generating source and a gas source for providing a process gas into the... |
SourceID | epo |
SourceType | Open Access Repository |
SubjectTerms | CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION |
Title | HYBRID PULSING PLASMA PROCESSING SYSTEMS |
URI | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130523&DB=EPODOC&locale=&CC=WO&NR=2013072831A1 |
hasFullText | 1 |
inHoldings | 1 |
isFullTextHit | |
isPrint | |
link | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV1LS8NAEB5KFfWmVfFRJaAEL4ttttnkUiTdpEZpHjSptqeS14IgtdiIf9_ZmGpPvS07MPuAmW-_3ZlZgNtcNwXiUkZYojHSE6YgptAE0YysQ3VhGFTIfGfPZ-6k9zzVpw14X-fCVHVCv6viiGhRGdp7Wfnr5f8lll3FVq7u0zfs-ngYxn1brdkxOmQkVqo96DthYAdc5Rx5m-qPf2UGYmnXQq60Iw_SstK-8zKQeSnLTVAZHsJuiPoW5RE0ikUL9vn677UW7Hn1kzc2a-tbHcOdO5OxMEo4GUVP_qMSjqzIs5RwHHDpFLEnmkWx40UncDN0Yu4SHHL-t8L5a7A5P3oKTeT-xRkouZklTE-LTiIYQm2eIj4zmlCWdfVCy-k5tLdputguvoQDrfrdQScabUOz_PwqrhBjy_S62pof8gV7HQ |
link.rule.ids | 230,309,786,891,25594,76906 |
linkProvider | European Patent Office |
linkToHtml | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV1LS8NAEB5KFetNq-KjakAJXoJtttnkUqTNw1Tzokm1PYW8FgSpxUb8-87GVHvqbdmB2QfMfPvtzswC3OaKxhCXMokmMpX6TGOSxmQmyWrWJQpTVcJ4vrPrUXvaf5opswa8r3Nhqjqh31VxRLSoDO29rPz18v8Sy6hiK1f36Rt2fTxY0cAQa3aMDhmJlWiMBmbgG74u6jryNtGb_MpUxNLeELnSjsrr8_LD08uI56UsN0HFOoDdAPUtykNoFIs2tPT132tt2HPrJ29s1ta3OoI7e85jYYRg6oRj71EInGHoDoVg4uvcKWJPOA8j0w2P4cYyI92WcMj4b4Xxq785P3ICTeT-xSkIuZYlVEmLbsIoQm2eIj5TkhCa9ZRCzskZdLZpOt8uvoaWHblO7Iy95wvYl6ufHhRJJh1olp9fxSXibZleVdv0A9whfgo |
openUrl | ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=HYBRID+PULSING+PLASMA+PROCESSING+SYSTEMS&rft.inventor=LEE%2C+WONCHUL&rft.inventor=EPPLER%2C+AARON%2C+SCOTT&rft.inventor=GUHA%2C+JOYDEEP&rft.inventor=FU%2C+QUIAN&rft.inventor=JACOBS+KANARIK%2C+KEREN&rft.date=2013-05-23&rft.externalDBID=A1&rft.externalDocID=WO2013072831A1 |