LIGHT DETECTION DEVICE
A light detection device (1) is provided with: a semiconductor light detection element (10A) having a semiconductor substrate (1N); and a mount substrate (20) disposed so as to face the semiconductor light detection element (10A). The semiconductor light detection element (10A) contains multiple ava...
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Main Authors | , , , |
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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25.04.2013
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Abstract | A light detection device (1) is provided with: a semiconductor light detection element (10A) having a semiconductor substrate (1N); and a mount substrate (20) disposed so as to face the semiconductor light detection element (10A). The semiconductor light detection element (10A) contains multiple avalanche photodiodes (APD) operating in Geiger mode and formed within the semiconductor substrate (1N), and electrodes (E7) electrically connected to the respective avalanche photodiodes (APD) and arranged on the side of main surface (1Nb) of the semiconductor substrate (1N). The mount substrate (20) contains multiple electrodes (E9) arranged on the main surface (20a) side so as to correspond with each electrode (E7), and quenching resistors (R1) electrically connected to the respective electrode (E9) and arranged on the side of main surface (20a). Electrodes (E7) and electrodes (E9) are coupled via bump electrodes (BE).
La présente invention se rapporte à un dispositif de détection de lumière (1) qui est pourvu : d'un élément de détection de lumière semi-conducteur (10A) qui comprend un substrat semi-conducteur (1N) ; et d'un substrat de montage (20) agencé de sorte à faire face à l'élément de détection de lumière semi-conducteur (10A). L'élément de détection de lumière semi-conducteur (10A) comprend de multiples photodiodes à avalanche (APD) qui fonctionnent en mode Geiger et qui sont formées dans le substrat semi-conducteur (1N), ainsi que des électrodes (E7) raccordées électriquement aux photodiodes à avalanche (APD) et agencées sur le côté d'une surface principale (1Nb) du substrat semi-conducteur (1N). Le substrat de montage (20) comprend de multiples électrodes (E9) agencées du côté de la surface principale (20a) de sorte à correspondre à chaque électrode (E7), ainsi que des résistances de coupure (R1) raccordées électriquement à l'électrode respective (E9) et agencées sur le côté de la surface principale (20a). Les électrodes (E7) et les électrodes (E9) sont couplées par l'intermédiaire d'électrodes à bosse (BE). |
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AbstractList | A light detection device (1) is provided with: a semiconductor light detection element (10A) having a semiconductor substrate (1N); and a mount substrate (20) disposed so as to face the semiconductor light detection element (10A). The semiconductor light detection element (10A) contains multiple avalanche photodiodes (APD) operating in Geiger mode and formed within the semiconductor substrate (1N), and electrodes (E7) electrically connected to the respective avalanche photodiodes (APD) and arranged on the side of main surface (1Nb) of the semiconductor substrate (1N). The mount substrate (20) contains multiple electrodes (E9) arranged on the main surface (20a) side so as to correspond with each electrode (E7), and quenching resistors (R1) electrically connected to the respective electrode (E9) and arranged on the side of main surface (20a). Electrodes (E7) and electrodes (E9) are coupled via bump electrodes (BE).
La présente invention se rapporte à un dispositif de détection de lumière (1) qui est pourvu : d'un élément de détection de lumière semi-conducteur (10A) qui comprend un substrat semi-conducteur (1N) ; et d'un substrat de montage (20) agencé de sorte à faire face à l'élément de détection de lumière semi-conducteur (10A). L'élément de détection de lumière semi-conducteur (10A) comprend de multiples photodiodes à avalanche (APD) qui fonctionnent en mode Geiger et qui sont formées dans le substrat semi-conducteur (1N), ainsi que des électrodes (E7) raccordées électriquement aux photodiodes à avalanche (APD) et agencées sur le côté d'une surface principale (1Nb) du substrat semi-conducteur (1N). Le substrat de montage (20) comprend de multiples électrodes (E9) agencées du côté de la surface principale (20a) de sorte à correspondre à chaque électrode (E7), ainsi que des résistances de coupure (R1) raccordées électriquement à l'électrode respective (E9) et agencées sur le côté de la surface principale (20a). Les électrodes (E7) et les électrodes (E9) sont couplées par l'intermédiaire d'électrodes à bosse (BE). |
Author | BABA TAKASHI NAGANO TERUMASA HOSOKAWA NOBURO SUZUKI TOMOFUMI |
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