METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLING POWER DISTRIBUTION IN SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS

• Main Authors: ABERLE, DAVID, E, BURNS, DOUGLAS, H, HILKENE, MARTIN, A, SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW, D, PORSHNEV, PETER, I, KAMP, MICHAEL, P, TOBIN, JEFFREY, HAWRYLCHAK, LARA, BARANDICA, HENRY, LAI, CANFENG
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.04.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; RESONATORS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods and apparatus for controlling power distribution in a substrate processing system are provided. In some embodiments, a substrate processing system including a process chamber having a substrate support and a processing region disposed above the substrate support; a first conduit disposed above the processing region to provide a portion of a first toroidal path that extends through the first conduit and across the processing region; a second conduit disposed above the processing region to provide a portion of a second toroidal path that extends through the second conduit and across the processing region; an RF generator coupled to the first and second conduits to provide RF energy having a first frequency to each of the first and second conduits; an impedance matching network disposed between the RF generator and the first and second conduits; and a power divider to control the amount of RF energy provided to the first and second conduits from the RF generator. L'invention concerne des procédés et un appareil de régulation de distribution de puissance dans un système de traitement de substrat. Dans certains modes de réalisation, un système de traitement de substrat comprend une chambre de traitement dotée d'un support de substrat et d'une région de traitement disposée au-dessus du support de substrat ; d'un premier conduit disposé au-dessus de la région de traitement afin de fournir une partie d'un premier chemin toroïdal qui s'étend à travers le premier conduit et à travers la région de traitement ; d'un second conduit disposé au-dessus de la région de traitement pour fournir une partie d'un second chemin toroïdal qui s'étend à travers le second conduit et à travers la région de traitement ; d'un générateur RF couplé aux premier et second conduits pour fournir une énergie RF qui a une première fréquence à chacun des premier et second conduits ; d'un réseau d'adaptation d'impédance disposé entre le générateur RF et les premier et second conduits ; et d'un répartiteur de puissance pour réguler la quantité d'énergie RF fournie aux premier et second conduits par le générateur RF.