ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TRANSITION METAL THIN FILMS

• Main Authors: WINTER, CHARLES, H, KNISLEY, THOMAS, J, ARIYASENA, THILOKA
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.01.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An atomic layer deposition method for forming metal films on a substrate comprises a deposition cycle including: a) contacting a substrate with a vapor of a metal-containing compound described by formula 1 for a first predetermined pulse time to form a first modified surface: MLn (1) wherein: n is 1 to 8; M is a transition metal; L is a ligand; b) contacting the first modified surface with an acid for a second predetermined pulse time to form a second modified surface; and c) contacting the second modified surface with a reducing agent for a third predetermined pulse time to form a metal layer. L'invention concerne un procédé de dépôt de couche atomique pour former des films de métal sur un substrat, lequel procédé comprend un cycle de dépôt consistant à : a) mettre en contact un substrat avec une vapeur d'un composé contenant un métal, décrit par la formule 1, pendant une première durée d'impulsion prédéterminée, pour former une première surface modifiée : MLn (1), dans laquelle : n est 1 à 8 ; M est un métal de transition ; L est un ligand ; b) mettre en contact la première surface modifiée avec un acide pendant une deuxième durée d'impulsion prédéterminée, pour former une seconde surface modifiée ; et c) mettre en contact la seconde surface modifiée avec un agent réducteur pendant une troisième durée d'impulsion prédéterminée, pour former une couche de métal.