SEMICONDUCTOR DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SHIRAI, MASANORI, ISHIBASHI, SATORU, TAKASAWA, SATORU, MASUDA, TADASHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.12.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an electrode layer that does not delaminate from oxide semiconductors and oxide insulating films, and that does not cause any diffusion of copper atoms on oxide semiconductors and into oxide semiconductors nor any extraction of oxygen therefrom. The disclosed oxygen-diffusion-preventing thin film (37) is in contact with an oxide semiconductor layer (34), includes copper as the principal component thereof, and contains copper oxide so as to reduce the difference in oxygen concentration at the interface between the oxide semiconductor layer (34) and the oxygen-diffusion-preventing thin film (37). A laminated electrode layer (40) is made by forming, on the oxygen-diffusion-preventing thin film (37), a highly electroconductive thin film (38) that contains copper and that has high electrical conductivity and low resistance. Because the highly electroconductive thin film (38) having a high copper content is not in direct contact with the oxide semiconductor layer (34), neither the diffusion of copper nor the extraction of oxygen occurs. L'invention fournit une couche d'électrode ne se décollant pas d'un semi-conducteur à oxyde ou d'un film à isolation par oxyde, et en outre, ne présentant pas de diffusion d'atomes de cuivre à l'intérieur du semi-conducteur à oxyde, ni d'attraction d'un oxygène provenant du semi-conducteur à oxyde. Dans un film mince de suppression de diffusion d'oxygène (37) en contact avec une couche de semi-conducteur à oxyde (34) : le cuivre constitue le composant principal; la variation de concentration en oxygène à l'interface entre la couche de semi-conducteur à oxyde (34) et le film mince de suppression de diffusion d'oxygène (37), est réduite par ajout d'oxyde de cuivre; du cuivre est ajouté sur le film mince de suppression de diffusion d'oxygène (37); et une couche d'électrode de type multicouche (40) est composée par formation d'un film hautement conducteur (38) présentant une haute conductivité électrique et une faible résistance. Comme le film hautement conducteur (38) présentant une teneur élevée en cuivre n'est pas en contact direct avec la couche de semi-conducteur à oxyde (34), il n'y a pas de diffusion de cuivre ni d'attraction d'oxygène.