POROUS AND NON-POROUS NANOSTRUCTURES

• Main Authors: CHIAPPINI, CIRO, FERRARI, MAURO, FAKHOURY, JEAN, RAYMOND, LIU, XUEWU
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 20.03.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INORGANIC CHEMISTRY; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; METALLURGY; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS; NANOTECHNOLOGY; NON-METALLIC ELEMENTS; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TRANSPORTING

Disclosed are a variety of porous and non-porous wire-like structures of microscopic and nanoscopic scale. For instance, disclosed are structures that comprise a porous object that comprises: (i) a first region; and (ii) a second region adjacent to the first region along an axis of the object, where the first region has at least one porous property different from that of the second region. Also disclosed are structures that include: (i) a high resistivity silicon; and (ii) a cross-section that is substantially perpendicular to an axis of the object. Also disclosed are methods of making and using such structures. For instance, the present invention provides methods of making a porous object by: (i) obtaining an etchable substrate; (ii) forming on a surface of the substrate a patterned porosification assisting metal layer that has at least one opening; and (iii) subsequently exposing the substrate to a first etching solution and a second etching solution to form respectively a first region and a second region of a porous object. L'invention porte sur une variété de structures du type fil poreuses et non poreuses d'échelle microscopique et nanoscopique. Par exemple, il est décrit des structures qui comprennent un objet poreux qui comprend : (i) une première région ; et (ii) une seconde région adjacente à la première région le long d'un axe de l'objet, la première région ayant au moins une propriété poreuse différente de celle de la seconde région. Il est également décrit des structures qui comprennent : (i) un silicium de résistivité élevée ; et (ii) une section transversale qui est sensiblement perpendiculaire à un axe de l'objet. L'invention porte également sur des procédés de fabrication et d'utilisation de telles structures. Par exemple, la présente invention porte sur des procédés de réalisation d'un objet poreux par : (i) obtention d'un substrat pouvant être gravé ; (ii) formation sur une surface du substrat d'une couche métallique d'assistance à la porosité présentant un certain motif qui a au moins une ouverture ; et (iii) ensuite, exposition du substrat à une première solution de gravure et à une seconde solution de gravure afin de former, respectivement, une première région et une seconde région d'un objet poreux.