INTEGRATED CIRCUIT WITH FINFETS AND MIM FIN CAPACITOR

• Main Authors: FURUKAWA, TOSHIHARU, BOOTH, ROGER, A, PEI, CHENGWEN, KANGGUO, CHENG
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 01.12.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An integrated circuit having finFETs(60a,b) and a metal-insulator-metal (MIM) fin capacitor (65) and methods of manufacture are disclosed. A method includes forming a first finFET (60a) comprising a first dielectric (25) and a first conductor (30); forming a second finFET (60b) comprising a second dielectric (40) and a second conductor (45); and forming a fin capacitor (65) comprising the first conductor (25), the second dielectric (40), and the second conductor (45). L'invention concerne un circuit intégré comportant des transistors à effet de champ finFET (60a,b) et un condensateur (65) à ailettes métal-isolant-métal (MIM), et des procédés de fabrication. Un procédé comprend les étapes consistant à : former un premier finFET (60a) comprenant un premier diélectrique (25) et un premier conducteur (30); former un deuxième finFET (60b) comprenant un deuxième diélectrique (40) et un deuxième conducteur (45); et former un condensateur (65) à ailettes comprenant le premier conducteur (25), le deuxième diélectrique (40) et le deuxième conducteur (45).