SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT

• Main Authors: TANAKA, HIDETOSHI, TAKEDA, MITSUMASA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.10.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a semiconductor light emitting element wherein adhesion between an insulating layer and a semiconductor layer is improved, while having a current controllable by means of the insulating layer. The semiconductor light emitting element is provided with: the semiconductor layer; a first electrode and a second electrode, which are provided to sandwich the semiconductor layer; the insulating layer, which is provided on the same semiconductor layer surface, on which the second electrode is formed, such that the insulating layer surrounds the circumference of the second electrode and faces the first electrode; and a first metal layer which covers the second electrode and the insulating layer. A second metal layer having a thickness smaller than that of the second electrode is provided between the semiconductor layer and the insulating layer. L'invention porte sur un élément émetteur de lumière à semi-conducteurs, dans lequel élément l'adhérence entre une couche isolante et une couche semi-conductrice est améliorée, tout en ayant un courant pouvant être commandé à l'aide de la couche isolante. L'élément émetteur de lumière à semi-conducteurs comporte : la couche semi-conductrice ; une première électrode et une seconde électrode, qui sont disposées de façon à prendre en sandwich la couche semi-conductrice ; la couche isolante, qui est disposée sur la même surface de la couche semi-conductrice que celle sur laquelle est formée la seconde électrode, de telle sorte que la couche isolante entoure la périphérie de la seconde électrode et fait face à la première électrode ; et une première couche métallique qui recouvre la seconde électrode et la couche isolante. Une seconde couche métallique ayant une épaisseur inférieure à celle de la seconde électrode est disposée entre la couche semi-conductrice et la couche isolante.