MAINTAINING UPDATES OF MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY IN BINARY NON-VOLATILE MEMORY

• Main Authors: GOROBETS, SERGEY ANATOLIEVICH, LYASHUK, ALEXANDER, SPROUSE, STEVEN, T, TRAISTER, SHAI, WU, WILLIAM S
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.06.2011
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

A method of operating a memory system is presented. The memory system includes a controller and a non-volatile memory circuit, where the non-volatile memory circuit has a first portion, where data is stored in a binary format, and a second portion, where data is stored in a multi-state format. The controller manages the transfer of data to and from the memory system and the storage of data on the non-volatile memory circuit. The method includes receiving a first set of data and storing this first set of data in a first location in the second portion of the non-volatile memory circuit. The memory system subsequently receives updated data for a first subset of the first data set. The updated data is stored in a second location in the first portion of the non-volatile memory circuit, where the controller maintains a logical correspondence between the second location and the first subset of the first set of data. La présente invention concerne un procédé de fonctionnement d'un système de mémoire. Le système de mémoire comprend un contrôleur et un circuit de mémoire non volatile qui comporte une première section dans laquelle des données sont mémorisées dans un format binaire et une seconde section dans laquelle des données sont mémorisées dans un format multi-états. Le contrôleur gère le transfert de données à destination et en provenance du système de mémoire ainsi que la mémorisation de données dans le circuit de mémoire non volatile. Le procédé comprend les étapes consistant à recevoir un premier ensemble de données et à mémoriser ce premier ensemble de données en un premier emplacement dans la seconde partie du circuit de mémoire non volatile. Le système de mémoire reçoit ensuite des données mises à jour destinées à un premier sous-ensemble du premier ensemble de données. Les données mises à jour sont mémorisées à un second emplacement dans la première partie du circuit de mémoire non volatile, dans lequel le contrôleur entretient une correspondance logique entre le second emplacement et le premier sous-ensemble du premier ensemble de données.