ION IMPLANTATION SYSTEM AND METHOD

• Main Authors: YEDAVE, SHARAD, N, TANG, YING, KAIM, ROBERT, BYL, OLEG, JONES, EDWARD, E, CHAMBERS, BARRY, LEWIS, SWEENEY, JOSEPH, D, ZOU, PENG
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 25.08.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

An ion implantation system and method, providing cooling of dopant gas in the dopant gas feed line, to combat heating and decomposition of the dopant gas by arc chamber heat generation, e.g., using boron source materials such as B2F4 or other alternatives to BF3. Various arc chamber thermal management arrangements are described, as well as modification of plasma properties, specific flow arrangements, cleaning processes, power management, eqillibrium shifting, optimization of extraction optics, detection of deposits in flow passages, and source life optimization, to achieve efficient operation of the ion implantation system. La présente invention a trait à un système et à un procédé d'implantation ionique permettant de refroidir un gaz dopant dans la conduite d'alimentation de gaz dopant, de lutter contre le chauffage et la décomposition du gaz dopant par dégagement de chaleur de tube à arc, par exemple à l'aide de matières brutes de bore telles que B2F4 ou autres alternatives au BF3. La présente invention décrit divers agencements de gestion thermique de tube à arc, ainsi que la modification des propriétés du plasma, les agencements à écoulement spécifique, les processus de nettoyage, la gestion d'énergie, le décalage de l'équilibre, l'optimisation de l'optique d'extraction, la détection de dépôts dans les passages et l'optimisation de la durée de vie de la source, en vue d'obtenir un fonctionnement efficace du système d'implantation ionique.