SELECTIVE SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING OF REGIONS IN AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

• Main Authors: WOO, HYUNGJE, KIM, HUN, SANG, KOSEKI, SHINICHI, LIU, CHUNG, TUNCEL, EDA
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 25.11.2010
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A selective self-aligned dual patterning method. The method includes performing a single lithography operation to form a patterned mask having a narrow feature in a region of a substrate that is to a have pitch-reduced feature and a wide feature in a region of the substrate that is to have a non-pitch-reduced feature. Using the patterned mask, a template mask is formed with a first etch and the patterned mask is then removed from the narrow feature while being retained over the wide feature. The template mask is then thinned with a second etch to introduce a thickness delta in the template mask between the narrow and wide features. A spacer mask is then formed and the thinned narrow template mask is removed to leave a pitch double spacer mask while the thick wide template mask feature is retained to leave a non- pitch reduced mask. La présente invention a trait à un procédé de double formation de motifs auto-alignée sélective. Le procédé inclut une étape consistant à effectuer une seule opération de lithographie pour former un masque à motifs doté d'un élément étroit dans une région d'un substrat qui doit avoir un élément de pas réduit et d'un élément large dans une région du substrat qui doit avoir un élément de pas non réduit. A l'aide du masque à motifs, un masque modèle est formé avec une première gravure et le masque à motifs est ensuite supprimé de l'élément étroit tout en étant conservé sur l'élément large. Le masque modèle est ensuite aminci avec une seconde gravure pour introduire un delta d'épaisseur dans le masque modèle entre les éléments étroite et large. Un masque d'entretoise est alors formé et le masque modèle étroit aminci est supprimé pour laisser un masque d'entretoise à double pas tandis que l'élément de masque modèle large épais est conservé pour laisser un masque de pas non réduit.