MAGNETORESISTIVE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND STORAGE MEDIUM USED IN THE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: KURIBAYASHI, MASAKI, DJAYAPRAWIRA, DAVID DJULIANTO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 11.03.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INDUCTANCES; INFORMATION STORAGE; INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORDCARRIER AND TRANSDUCER; MAGNETS; PHYSICS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSFORMERS

A magnetoresistive element having a higher MR ratio than conventional magnetoresistive elements, and a method for manufacturing the magnetoresistive element. The magnetoresistive element comprises a substrate, a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a tunnel barrier layer arranged between the magnetization fixed layer and the magnetization free layer.  The magnetization free layer is so formed as to have a multilayer structure which is composed of a crystalline first ferromagnetic layer formed from an alloy containing Co atoms, Fe atoms and B atoms and a crystalline second ferromagnetic layer formed from an alloy containing Ni atoms, Fe atoms and B atoms. L'invention concerne un élément magnétorésistif présentant un rapport de magnétorésistance supérieur à celui des éléments magnétorésistifs classiques, ainsi qu'un procédé de fabrication associé. L'élément magnétorésistif selon l'invention comprend un substrat, une couche à magnétisation fixe, une couche exempte de magnétisation et une couche barrière à effet tunnel disposée entre la couche à magnétisation fixe et la couche exempte de magnétisation. La couche exempte de magnétisation est formée de sorte à présenter une structure multicouche composée d'une première couche ferromagnétique constituée d'un alliage contenant des atomes de Co, des atomes de Fe et des atomes de B, et d'une deuxième couche ferromagnétique cristalline constituée d'un alliage contenant des atomes de Ni, des atomes de Fe et des atomes de B.