PROCESS AND SYSTEM FOR VARYING THE EXPOSURE TO A CHEMICAL AMBIENT IN A PROCESS CHAMBER

A processing system is disclosed for conducting various processes on substrates, such as semiconductor wafers by varying the exposure to a chemical ambient. The processing system includes a processing region having an inlet and an outlet for flowing fluids through the chamber. The outlet is in commu...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors PHAN, HUNG, THANH, GALEWSKI, CARL, PEUSE, BRUCE, W, CHOY, SHUEN, CHUN, HU, YAO, ZHI, DEVINE, DANIEL, J, CARDEMA, RUDY, SANTO TOMAS
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 10.12.2009
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
Abstract A processing system is disclosed for conducting various processes on substrates, such as semiconductor wafers by varying the exposure to a chemical ambient. The processing system includes a processing region having an inlet and an outlet for flowing fluids through the chamber. The outlet is in communication with a conductance valve that is positioned in between the processing region outlet and a vacuum exhaust channel. The conductance valve rapidly oscillates or rotates between open and closed positions for controlling conductance through the processing region. This feature is coupled with the ability to rapidly pulse chemical species through the processing region while simultaneously controlling the pressure in the processing region. Of particular advantage, the conductance valve is capable of transitioning the processing region through pressure transitions of as great as 100:1 while chemical species are flowed through the processing region using equally fast control valves in a synchronous pulsed fashion. L'invention porte sur un système de traitement destiné à mettre en oevre différents procédés sur des substrats, tels que des tranches semi-conductrices, par une variation de l'exposition à une ambiance chimique. Le système de traitement comprend une région de traitement ayant une entrée et une sortie, pour permettre l'écoulement de fluides à travers la chambre. La sortie est en communication avec une valve de conductance qui est positionnée entre la sortie de la région de traitement et un canal d'évacuation par aspiration. La valve de conductance subit une oscillation ou une rotation rapide entre la position ouverte et la position fermée, pour réguler la conductance à travers la région de traitement. Cette caractéristique est couplée à la possibilité de pulser rapidement des espèces chimiques à travers la région de traitement tout en régulant simultanément la pression dans la région de traitement. Ce qui est particulièrement avantageux est que la valve de conductance est capable d'assurer la transition avec la région de traitement, en passant par des transitions de pression atteignant 100:1, tandis que les espèces chimiques s'écoulent à travers la région de traitement, par utilisation de valves de régulation tout aussi rapides d'une manière pulsée synchrone.
AbstractList A processing system is disclosed for conducting various processes on substrates, such as semiconductor wafers by varying the exposure to a chemical ambient. The processing system includes a processing region having an inlet and an outlet for flowing fluids through the chamber. The outlet is in communication with a conductance valve that is positioned in between the processing region outlet and a vacuum exhaust channel. The conductance valve rapidly oscillates or rotates between open and closed positions for controlling conductance through the processing region. This feature is coupled with the ability to rapidly pulse chemical species through the processing region while simultaneously controlling the pressure in the processing region. Of particular advantage, the conductance valve is capable of transitioning the processing region through pressure transitions of as great as 100:1 while chemical species are flowed through the processing region using equally fast control valves in a synchronous pulsed fashion. L'invention porte sur un système de traitement destiné à mettre en oevre différents procédés sur des substrats, tels que des tranches semi-conductrices, par une variation de l'exposition à une ambiance chimique. Le système de traitement comprend une région de traitement ayant une entrée et une sortie, pour permettre l'écoulement de fluides à travers la chambre. La sortie est en communication avec une valve de conductance qui est positionnée entre la sortie de la région de traitement et un canal d'évacuation par aspiration. La valve de conductance subit une oscillation ou une rotation rapide entre la position ouverte et la position fermée, pour réguler la conductance à travers la région de traitement. Cette caractéristique est couplée à la possibilité de pulser rapidement des espèces chimiques à travers la région de traitement tout en régulant simultanément la pression dans la région de traitement. Ce qui est particulièrement avantageux est que la valve de conductance est capable d'assurer la transition avec la région de traitement, en passant par des transitions de pression atteignant 100:1, tandis que les espèces chimiques s'écoulent à travers la région de traitement, par utilisation de valves de régulation tout aussi rapides d'une manière pulsée synchrone.
Author CHOY, SHUEN, CHUN
CARDEMA, RUDY, SANTO TOMAS
DEVINE, DANIEL, J
HU, YAO, ZHI
PHAN, HUNG, THANH
GALEWSKI, CARL
PEUSE, BRUCE, W
Author_xml – fullname: PHAN, HUNG, THANH
– fullname: GALEWSKI, CARL
– fullname: PEUSE, BRUCE, W
– fullname: CHOY, SHUEN, CHUN
– fullname: HU, YAO, ZHI
– fullname: DEVINE, DANIEL, J
– fullname: CARDEMA, RUDY, SANTO TOMAS
BookMark eNqNjLsKwjAUQDPo4OsfLjgLfTjY8RpvTcAkJYnVTqVInCQt1P_HDro7HTgczpLNYh_DgtWVNZycA9QncI3zpKA0Fmq0jdRn8IKA7pVxV0vgDSBwQUpyvACqoyTtQerJ_jZcTJrsms2f3WsMmy9XbFuS52IXhr4N49A9Qgzv9mayJCnS_aFIc8zy_6oPZBoy9A
ContentType Patent
DBID EVB
DatabaseName esp@cenet
DatabaseTitleList
Database_xml – sequence: 1
  dbid: EVB
  name: esp@cenet
  url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP
  sourceTypes: Open Access Repository
DeliveryMethod fulltext_linktorsrc
Discipline Medicine
Chemistry
Sciences
DocumentTitleAlternate PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR FAIRE VARIER L'EXPOSITION À UNE AMBIANCE CHIMIQUE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT
ExternalDocumentID WO2009148913A2
GroupedDBID EVB
ID FETCH-epo_espacenet_WO2009148913A23
IEDL.DBID EVB
IngestDate Fri Jul 19 13:04:05 EDT 2024
IsOpenAccess true
IsPeerReviewed false
IsScholarly false
Language English
French
LinkModel DirectLink
MergedId FETCHMERGED-epo_espacenet_WO2009148913A23
Notes Application Number: WO2009US45432
OpenAccessLink https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20091210&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2009148913A2
ParticipantIDs epo_espacenet_WO2009148913A2
PublicationCentury 2000
PublicationDate 20091210
PublicationDateYYYYMMDD 2009-12-10
PublicationDate_xml – month: 12
  year: 2009
  text: 20091210
  day: 10
PublicationDecade 2000
PublicationYear 2009
RelatedCompanies MATTSON TECHNOLOGY, INC
CHOY, SHUEN, CHUN
CARDEMA, RUDY, SANTO TOMAS
DEVINE, DANIEL, J
HU, YAO, ZHI
PHAN, HUNG, THANH
GALEWSKI, CARL
PEUSE, BRUCE, W
RelatedCompanies_xml – name: HU, YAO, ZHI
– name: DEVINE, DANIEL, J
– name: GALEWSKI, CARL
– name: PEUSE, BRUCE, W
– name: MATTSON TECHNOLOGY, INC
– name: CARDEMA, RUDY, SANTO TOMAS
– name: PHAN, HUNG, THANH
– name: CHOY, SHUEN, CHUN
Score 2.7613082
Snippet A processing system is disclosed for conducting various processes on substrates, such as semiconductor wafers by varying the exposure to a chemical ambient....
SourceID epo
SourceType Open Access Repository
SubjectTerms CHEMICAL SURFACE TREATMENT
CHEMISTRY
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL
COATING METALLIC MATERIAL
DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL
INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL
METALLURGY
SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
Title PROCESS AND SYSTEM FOR VARYING THE EXPOSURE TO A CHEMICAL AMBIENT IN A PROCESS CHAMBER
URI https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20091210&DB=EPODOC&locale=&CC=WO&NR=2009148913A2
hasFullText 1
inHoldings 1
isFullTextHit
isPrint
link http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV1RS8MwED7GFPVNp-J0SkDpW9Fsbbc8DOnSzE5YW7pubk-jTVsQpBuu4t_3Wlfd097CHRzJweXy5XJfAB5CGrJ2igFImeypWqyFasSYVHWZyDg0Iill-drCMeyp9jrX5zX4qHphSp7Q75IcESNKYrzn5X69_r_Essq3lZvH6B1Fq-dh0LeUCh2zgg9LsQZ94bmWyxXOEbcpjv-r04qanIkb9kFxkC6Y9sVsUPSlrHeTyvAUDj20l-VnUEuyBhzz6u-1BhyNtyVvHG6jb3MOM893OTqMmI5FJotJIMYEQRyZmf5i5LyQwBZEzD13MvUFCVxikorwgJjjwUg4ARk5KK3McBvFwr-A-6EIuK3iBJd__li-ubur6VxCPVtlyRWQmMVF3Q0RQxpqbRqxLuumeochijNoL6VNaO2zdL1ffQMn7e3nCfSpBfX88yu5xYycR3elI38AM42HCQ
link.rule.ids 230,309,786,891,25594,76906
linkProvider European Patent Office
linkToHtml http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV3dS8MwED_GFOebTsWPqQGlb0W7dR95GNK1ma2uaem6uT2NNm1BkG64iv--17rqnvYW7uBIDi6XXy73C8B9oAS0mWAAKlT0ZDVSAzmkVMhtEYso6IRCiOK1Be-YE_Vl1p5V4KPshSl4Qr8LckSMKIHxnhX79er_Esso3lauH8J3FC2fhn7fkEp0THM-LMkY9JnrGI4u6TriNol7vzo1r8lpuGHvdXN-3vzwNB3kfSmr7aQyPIJ9F-2l2TFU4rQONb38e60OB_am5I3DTfStT2Dqeo6ODiMaN8h4PvaZTRDEkanmzS3-THyTETZznfHEY8R3iEZKwgOi2QOLcZ9YHKWlGd1EMfNO4W7IfN2UcYKLP38s3pzt1bTOoJou0_gcSESjvO6GiCEJ1KYS0i7tJu0WRRTXUXqJcgGNXZYud6tvoWb69mgxsvjrFRw2Nx8pKI8NqGafX_E1ZucsvCmc-gOtT4n2
openUrl ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=PROCESS+AND+SYSTEM+FOR+VARYING+THE+EXPOSURE+TO+A+CHEMICAL+AMBIENT+IN+A+PROCESS+CHAMBER&rft.inventor=PHAN%2C+HUNG%2C+THANH&rft.inventor=GALEWSKI%2C+CARL&rft.inventor=PEUSE%2C+BRUCE%2C+W&rft.inventor=CHOY%2C+SHUEN%2C+CHUN&rft.inventor=HU%2C+YAO%2C+ZHI&rft.inventor=DEVINE%2C+DANIEL%2C+J&rft.inventor=CARDEMA%2C+RUDY%2C+SANTO+TOMAS&rft.date=2009-12-10&rft.externalDBID=A2&rft.externalDocID=WO2009148913A2