HIGH-SIDE DRIVER

• Main Authors: EBATA, KOJI, MATSUNAGA, YASUYUKI, SATOH, KIYOKATSU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.11.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; INDUCTANCES; MAGNETS; PERFORMING OPERATIONS; PULSE TECHNIQUE; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES; TRANSFORMERS; TRANSPORTING; VEHICLES IN GENERAL; VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISEPROVIDED FOR

A high-side driver (10) which comprises a semiconductor element (Q1) which is connected in series to a power supply path from a DC power supply (5) to a linear solenoid (7) and controls current applied the linear solenoid (7) by on/off operation.  The high-side driver (10) is provided with a current detection circuit (16) which detects the current applied to the linear solenoid (7), a control circuit (14) which controls on/off of the semiconductor element (Q1), a state detection circuit (18) which detects the state of the high-side driver (10) or that of the linear solenoid (7) and outputs a state signal, a first transmission buffer which latches and outputs the state signal, a second transmission buffer which outputs the state signal without latching, and a transmission shift register which converts the state signal into serial data and transmits the converted state signal to an external device (9) in predetermined timing.  The state detection circuit (18) selects at least one of the first transmission buffer or the second transmission buffer according to the detected state and outputs the state signal. L'invention porte sur un circuit d'attaque côté haut potentiel (10) qui comprend un élément à semi-conducteur (Q1) qui est connecté en série à un trajet d'alimentation électrique allant d'une alimentation électrique en courant continu (5) à un solénoïde linéaire (7) et commande un courant appliqué au solénoïde linéaire (7) par une opération marche/arrêt. Le circuit d'attaque côté haut potentiel (10) comprend un circuit de détection de courant (18) qui détecte le courant appliqué au solénoïde linéaire (7), un circuit de commande (14) qui commande le blocage/déblocage de l'élément à semi-conducteur (Q1), un circuit de détection d'état (18) qui détecte l'état du circuit d'attaque côté haut potentiel (10) ou celui du solénoïde linéaire (7) et délivre un signal d'état, un premier tampon de transmission qui verrouille et délivre le signal d'état, un second tampon de transmission qui délivre le signal d'état sans verrouillage, et un registre à décalage de transmission qui convertit le signal d'état en données séries et transmet le signal d'état converti à un dispositif externe (9) selon une synchronisation prédéterminée. Le circuit de détection d'état (18) sélectionne au moins l'un du premier tampon de transmission ou du second tampon de transmission selon l'état détecté et délivre le signal d'état.