PLASMA ETCHING METHOD FOR FORMING PYRAMIDAL TEXTURE ON SILICON SURFACE AND THE APPARATUS USED THEREFOR

• Main Authors: LEE, HEON JU, PLAKSIN, VADIM YU
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 29.01.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

The present invention relates to a plasma etching method and apparatus for forming a pyramidal texture on a surface of silicon substrate used for solar cell or the like. More par¬ ticularly, the present invention relates to a plasma etching method and apparatus, wherein there are provided a plasma generator having gas injection holes for injecting etching gas activated by plasma and a gas supply unit for supplying high pressure etching gas to the plasma generator, and an etching reaction is induced on a surface of silicon substrate by particles of etching gas injected at a high flow rate under a pressure of 1 Torr or more to thereby form a pyramidal texture, whereby the structure of the etching apparatus can be simplified since an additional device for maintaining a high vacuum state is not required, and the reaction efficiency can be enhanced by etching gas particles of high density. La présente invention concerne un procédé et un appareil de gravure par plasma permettant de former une texture pyramidale sur une surface de substrat de silicium utilisé pour une cellule solaire ou un élément similaire. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé et un appareil de gravure par plasma dans lesquels sont fournis un générateur de plasma comportant des trous d'injection de gaz pour injecter le gaz de gravure activé par plasma et une unité d'alimentation de gaz pour délivrer un gaz de gravure sous haute pression au générateur de plasma, et une réaction de gravure est induite sur une surface de substrat de silicium par des particules du gaz de gravure injecté avec un débit élevé sous une pression de 1 Torr ou plus pour former ainsi une texture pyramidale, au moyen de quoi la structure de l'appareil de gravure peut être simplifiée puisqu'un dispositif supplémentaire pour maintenir un état de vide poussé n'est par requis, et le rendement de réaction peut être amélioré par les particules de gaz de gravure de haute densité.