RESIST COMPOSITION USED FOR LITHOGRAPHY PROCESS USING ELECTRON BEAM, X RAY OR EUV LIGHT

• Main Authors: SASAKI, TAKASHI, SAWAGUCHI, MASANORI, YOKOKOJI, OSAMU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.01.2009
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a resist composition used for a lithography process using an electron beam, an X-ray or an EUV light. Specifically disclosed is a resist composition used for a lithography process using an electron beam, an X-ray or an EUV light, which contains a fluorine-containing polymer (PF) containing a repeating unit (F) having a fluorine atom or fluorine-containing alkyl group bonded to the main chain and an aromatic ring structure in a side chain, whose alkali solubility is increased upon the action of an acid, and an acid generator. For example, the repeating unit (F) is at least one repeating unit (FVn) selected from the group consisting of the repeating units (FV1), (FV2), (FV3) and (FV4) shown below. (In the formulae below, XF1 represents -F- or -CF3-; r1 and r2 independently represent an integer of 0-2 (with the sum of r1 and r2 being an integer of 1-3); YF represents a group having 1-20 carbon atoms and optionally containing a fluorine atom, which is selected from an alkyl group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group and an alkoxycarbonylalkyl group; and WF represents a group having 1-20 carbon atoms and optionally containing a fluorine atom, which is selected from an alkyl group, an alkoxyalkyl group and an alkoxycarbonylalkyl group.) L'invention porte sur une composition de réserve utilisée pour un procédé de lithographie utilisant un faisceau d'électrons, des rayons X ou une lumière ultraviolette extrême. L'invention porte précisément sur une composition de réserve utilisée pour un procédé de lithographie utilisant un faisceau d'électrons, des rayons X ou une lumière ultraviolette extrême, qui contient un polymère contenant du fluor (PF) contenant une unité de répétition (F) ayant un atome de fluor ou un groupe alkyle contenant du fluor lié à la chaîne principale et une structure d'anneau aromatique dans une chaîne latérale, dont la solubilité dans les alcalins est augmentée lors de l'action d'un acide, et un générateur d'acide. L'unité de répétition (F) est, par exemple, au moins une unité de répétition (FVn) choisie dans le groupe constitué par les unités de répétition (FV1), (FV2), (FV3) et (FV4) représentées ci-dessous. (Dans les formules ci-dessous, XF1 représente -F- ou -CF3-; r1 et r2 représentent indépendamment un entier de 0-2 (la somme de r1 et r2 étant un entier de 1-3); YF représente un groupe ayant de 1-20 atomes de carbone et facultativement contenant un atome de fluor, qui est choisi parmi un groupe alkyle, un groupe alcoxyalkyle, un groupe alcoxycarbonyle et un groupe alcoxycarbonylalkyle; et WF représente un groupe ayant 1-20 atomes de carbone et contenant facultativement un atome de fluor, qui est choisi parmi un groupe alkyle, un groupe alcoxyalkyle et un groupe alcoxycarbonylalkyle.