PROCESS FOR FORMING AND CONTROLLING ROUGH INTERFACES

• Main Authors: ASPAR, BERNARD, SOUSBIE, NICOLAS, LAGAHE BLANCHARD, CHRYSTELLE
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 31.07.2008
• Subjects: MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS; TRANSPORTING

The invention relates to a process for forming a semiconductor component with a buried rough interface comprising: a) the formation of a rough interface (22) of predetermined roughness R2 in a first semiconductor substrate (16), with: * the selection of a semiconductor substrate (16), presenting a surface (14) with roughness R1>R2, * a thermal oxidation step for this substrate until an oxide -semiconductor interface (22) of roughness R2 is obtained, b) preparation of the oxidized surface of this first semiconductor substrate in view of assembly with a second substrate, c) the assembly of the surface of the oxide and of the second substrate. L'invention concerne un procédé de formation d'un composant à semiconducteur à interface rugueuse enterrée qui comprend: a) la formation d'une interface rugueuse (22) à rugosité R2 prédéfinie dans un premier substrat à semiconducteur (16), avec: * la sélection d'un substrat à semiconducteur (16), présentant un surface (14) à rugosité R1>R2, * une étape d'oxydation thermique pour ce substrat jusqu'à ce qu'une interface oxyde-semiconducteur (22) à rugosité R2 soit obtenue, b) la préparation de la surface oxydée de ce premier substrat à semiconducteur en vue de l'assembler au second substrat, c) l'assemblage de la surface d'oxyde et du second substrat.