TECHNIQUES FOR LOW TEMPERATURE ION IMPLANTATION
Techniques for low-temperature ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for low-temperature ion implantation. The apparatus may comprise a wafer support mechanism to hold a wafer during ion implantation and to facilitate m...
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Main Authors | , , |
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Format | Patent |
Language | English French |
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12.09.2008
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Abstract | Techniques for low-temperature ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for low-temperature ion implantation. The apparatus may comprise a wafer support mechanism to hold a wafer during ion implantation and to facilitate movement of the wafer in at least one dimension. The apparatus may also comprise a cooling mechanism coupled to the wafer support mechanism. The cooling mechanism may comprise a refrigeration unit, a closed loop of rigid pipes to circulate at least one coolant from the refrigeration unit to the wafer support mechanism, and one or more rotary bearings to couple the rigid pipes to accommodate the movement of the wafer in the at least one dimension.
L'invention concerne des techniques d'implantation ionique à basse température. Dans un mode de réalisation particulier, les techniques peuvent être mises en oeuvre sous forme d'un appareil d'implantation ionique à basse température. L'appareil peut comprendre un mécanisme support de plaquette conçu pour porter une plaquette pendant l'implantation ionique et pour faciliter le mouvement de la plaquette dans au moins une dimension. L'appareil peut également comprendre un mécanisme de refroidissement couplé au mécanisme support de plaquette. Le mécanisme de refroidissement peut comprendre une unité de réfrigération, une boucle fermée de conduites rigides permettant de faire circuler au moins un liquide frigorigène de l'unité de réfrigération au mécanisme support de plaquette, et un ou plusieurs paliers rotatifs conçus pour coupler les conduites rigides afin d'adapter le mouvement de la plaquette dans au moins une dimension. |
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AbstractList | Techniques for low-temperature ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for low-temperature ion implantation. The apparatus may comprise a wafer support mechanism to hold a wafer during ion implantation and to facilitate movement of the wafer in at least one dimension. The apparatus may also comprise a cooling mechanism coupled to the wafer support mechanism. The cooling mechanism may comprise a refrigeration unit, a closed loop of rigid pipes to circulate at least one coolant from the refrigeration unit to the wafer support mechanism, and one or more rotary bearings to couple the rigid pipes to accommodate the movement of the wafer in the at least one dimension.
L'invention concerne des techniques d'implantation ionique à basse température. Dans un mode de réalisation particulier, les techniques peuvent être mises en oeuvre sous forme d'un appareil d'implantation ionique à basse température. L'appareil peut comprendre un mécanisme support de plaquette conçu pour porter une plaquette pendant l'implantation ionique et pour faciliter le mouvement de la plaquette dans au moins une dimension. L'appareil peut également comprendre un mécanisme de refroidissement couplé au mécanisme support de plaquette. Le mécanisme de refroidissement peut comprendre une unité de réfrigération, une boucle fermée de conduites rigides permettant de faire circuler au moins un liquide frigorigène de l'unité de réfrigération au mécanisme support de plaquette, et un ou plusieurs paliers rotatifs conçus pour coupler les conduites rigides afin d'adapter le mouvement de la plaquette dans au moins une dimension. |
Author | LISCHER, D., JEFFREY MUKA, RICHARD, S ENGLAND, JONATHAN, GERALD |
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