LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF PHASE CHANGE MEMORY MATERIALS

• Main Authors: STAUF, GREGORY, T, XU, CHONGYING, BAUM, THOMAS, H, STENDER, MATTHIAS, HENDRIX, BRYAN, C, CHEN, TIANNIU, ROEDER, JEFFREY, F, HUNKS, WILLIAM
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.11.2007
• Subjects: ELECTRICITY; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL; SEPARATION; TRANSPORTING

A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350°C, with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates. L'invention concerne un système et un procédé permettant de former un matériau à mémoire de changement de phase sur un substrat, le substrat étant en contact avec des précurseurs d'un alliage de chalcogénures à mémoire de changement de phase dans des conditions permettant le dépôt de l'alliage de chalcogénures sur le substrat, à une température inférieure à 350°C, le contact étant assuré par dépôt chimique en phase vapeur ou dépôt de couches atomiques. L'invention concerne également divers précurseurs de tellure, germanium et germanium-tellure utiles pour former des films GST à mémoire de changement de phase sur des substrats.