RESIST COMPOSITION FOR LIQUID IMMERSION EXPOSURE

• Main Authors: TAKEBE, YOKO, YOKOKOJI, OSAMU, SHIROTA, NAOKO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.10.2007
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a resist composition for liquid immersion exposure. The resist composition comprises: a polymer (A) having a repeat unit formed by the cyclopolymerization of a compound represented by the formula: CF2=CF-Q-CR=CH2, wherein the repeat unit is contained in an amount of 10 mol% or more relative to the total amount of all repeat units; and a polymer (B) whose alkali solubility can be increased by the action of an acid. In the formula above, R represents a hydrogen atom; and Q represents -CF2C(CF3)(OH)CH2-, -CH2CH(C(CF3)2(OH))CH2-, -CH2CH(C(O)OH)CH2-, -CF2CH(C(O)OH)CH2-, -CF2C(C(O)OH)2CH2- or the like. L'invention concerne une composition de réserve pour exposition par immersion dans un liquide. Cette composition de réserve comprend un polymère (A) renfermant une unité récurrente formée par cyclopolymérisation d'un composé représenté par la formule CF2=CF-Q-CR=CH2, l'unité récurrente étant présente en concentration supérieure ou égale à 10% molaires sur la base du volume total de la totalité des unités récurrentes, et un polymère (B) dont la solubilité en milieu alcalin peut être augmentée par action d'un acide. Dans la formule susmentionnée, R représente un atome d'hydrogène et Q représente -CF2C(CF3)(OH)CH2-, -CH2CH(C(CF3)2(OH))CH2-, -CH2CH(C(O)OH)CH2-, -CF2CH(C(O)OH)CH2-, -CF2C(C(O)OH)2CH2- ou analogue.