THIN FILM TRANSISTOR, AND ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH SUCH THIN FILM TRANSISTOR

• Main Authors: BAN, ATSUSHI, OKADA, YOSHIHIRO, NAKAMURA, WATARU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.08.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Current drive performance of a thin film transistor is improved without yield deterioration due to a leak failure between a source/drain electrodes and a gate electrode and that due to deterioration of off-characteristics. The thin film transistor is provided with a gate electrode; an insulating film covering the gate electrode; a semiconductor layer arranged on the insulating film; and the source electrode and the drain electrode arranged on the insulating film and the semiconductor layer. The insulating film is a multilayer insulating film including a first insulating layer and a second insulating layer positioned on the upper layer of the first insulating layer. The multilayer insulating film is provided with a low laminated region whereupon no first insulating layer is formed, and a high insulating region whereupon the first insulating layer and the second insulating layer are stacked. The first insulating layer is formed to cover at least the edge of the gate electrode. The semiconductor layer is formed over both the low laminated region and the high laminated region of the multilayer insulating film. The semiconductor layer and the low laminated region are arranged to permit the route of a current flowing between the source electrode and the drain electrode to surely go through a portion at the low laminated region on the semiconductor layer. Les performances d'entraînement de courant d'un transistor à film mince sont améliorées selon l'invention sans baisse d'efficacité due à une fuite entre une électrode de source/une électrode de drain et une électrode de grille et due à une détérioration des caractéristiques de blocage. Le transistor à film mince est constitué d'une électrode de grille ; d'un film isolant recouvrant l'électrode de grille ; d'une couche semi-conductrice disposée sur le film isolant ; et de l'électrode de source et de l'électrode de drain disposées sur le film isolant et la couche semi-conductrice. Le film isolant est un film isolant multicouche comprenant une première couche isolante et une seconde couche isolante positionnée sur la couche supérieure de la première couche isolante. Le film isolant multicouche comprend une région stratifiée inférieure sur laquelle aucune première couche isolante n'est formée, et une région isolante supérieure sur laquelle la première couche isolante et la seconde couche isolante sont empilées. La première couche isolante est formée pour recouvrir au moins le bord de l'électrode de grille. La couche semi-conductrice est formée au-dessus à la fois de la région stratifiée inférieure et de la région stratifiée supérieure du film isolant multicouche. La couche semi-conductrice et la région stratifiée inférieure sont aménagées pour permettre le passage de courant entre l'électrode de source et l'électrode de drain pour traverser en toute sécurité une partie de la région stratifiée inférieure sur la couche semi-conductrice.