EDGE TERMINATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device has active region (30) and edge termination region (32) which includes a plurality of floating field regions (46). Field plates (54) extend in the edge termination region (32) inwards from contact holes (56) towards the active region (30) over a plurality of floating field reg...

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Main Authors VAN DALEN, ROB, SWANENBERG, MAARTEN, J
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 30.11.2006
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A semiconductor device has active region (30) and edge termination region (32) which includes a plurality of floating field regions (46). Field plates (54) extend in the edge termination region (32) inwards from contact holes (56) towards the active region (30) over a plurality of floating field regions (46). Pillars (40) may be provided. L'invention concerne un dispositif à semiconducteur qui comporte une région active (30) et une région de terminaison latérale (32) qui comprend une pluralité de régions de champ flottantes (46). Des plaques de champ (54) s'étendent dans la région de terminaison latérale (32), vers l'intérieur, en partant des fenêtres de contact (56) vers la région active (30), sur une pluralité de régions de champ flottantes (46). De plus, des montants (40) peuvent être conçus.
Bibliography:Application Number: WO2006IB51633