COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

• Main Authors: KOHIRO, KENJI, UEDA, KAZUMASA, HATA, MASAHIKO, TAKADA, TOMOYUKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.12.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A compound semiconductor epitaxial substrate; and a process for producing the same. There is provided a compound semiconductor epitaxial substrate comprising a single crystal substrate, a lattice mismatch compound semiconductor layer and a stress compensation layer, wherein the lattice mismatch compound semiconductor layer and the stress compensation layer are disposed on an identical surface side of the single crystal substrate, wherein there is no occurrence of lattice relaxation in the lattice mismatch compound semiconductor layer as well as the stress compensation layer, and wherein Ls representing the lattice constant of the single crystal substrate, Lm representing the lattice constant of the lattice mismatch compound semiconductor layer and Lc representing the lattice constant of the stress compensation layer satisfy the formula: Lm<Ls< Lc (1a ), or Lm >Ls>Lc (2a). Moreover, there is provided a process for producing a compound semiconductor epitaxial substrate, comprising the steps of: (1) carrying out epitaxial growth of compound semiconductor layer (I) in which no lattice relation occurs on a single crystal substrate, and (2) carrying out epitaxial growth of compound semiconductor layer (II) in which no lattice relation occurs on the obtained compound semiconductor layer (I), wherein Ls representing the lattice constant of the single crystal substrate, LI representing the lattice constant of the compound semiconductor layer (I) and LII representing the lattice constant of the compound semiconductor layer (II) satisfy the formula: LI<LS<LII< (1B), OR LI>Ls>LII (2b). Il est prévu un substrat épitaxial semi-conducteur composé ; et un procédé de fabrication de celui-ci. Il est prévu un substrat épitaxial semi-conducteur composé comprenant un simple substrat de cristal, une couche semi-conductrice composé de désadaptation de treillis et une couche de soulagement de contrainte, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice composé de désadaptation de treillis et la couche de soulagement de contrainte sont disposées sur un côté superficiel identique du simple substrat de cristal, en ce qu'il n'y pas de relâchement du treillis dans la couche semi-conductrice composé de désadaptation de treillis ni dans la couche de soulagement de contrainte, et en ce que Ls représentant la constante de treillis du simple substrat de cristal, Lm représentant la constante de treillis de la couche semi-conductrice composé de désadaptation de treillis et Lc représentant la constante de treillis de la couche de soulagement de contrainte satisfont à la formule : Lm<Ls< Lc (1a ), ou Lm >Ls>Lc (2a). Il est également prévu un procédé de fabrication d'un substrat épitaxial semi-conducteur composé, comprenant les phases suivantes : (1) réalisation de la croissance épitaxiale de couche semi-conductrice composé (I) dans laquelle aucun relâchement de treillis ne se produit sur un simple substrat de cristal, et (2) réalisation de la croissance épitaxiale de couche semi-conductrice composé (II) dans laquelle aucun relâchement de treillis ne se produit sur la couche semi-conductrice composé obtenue (I), où Ls représentant la constante de treillis du simple substrat de cristal, LI représentant la constante de treillis de la couche semi-conductrice composé (I) et LII représentant la constante de treillis de la couche semi-conductrice composé (II) satisfont à la formule : LI<LS<LII (1b), ou L>I>Ls>LII (2b).