SUBSTRATE TREATMENT APPRATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SAKAI, MASANORI, KAGAYA, TORU, YAMAZAKI, HIROHISA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.02.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A substrate treatment apparatus, comprising a reaction tube (203) and a heater (207) heating a silicon wafer (200), wherein trimethyl aluminum (TMA) and ozone (O3) are alternately fed into the reaction tube (203) to generate Al2O3 film on the surface of the wafer (200). The apparatus also comprises supply tubes (232a) and (232b) for flowing the ozone and TMA and a nozzle (233) supplying gas into the reaction tube (203). The two supply tubes (232a) and (232b) are connected to the nozzle (233) disposed inside the heater (207) in a zone inside the reaction tube (203) where a temperature is lower than a temperature near the wafer (200) and the ozone and TMA are supplied into the reaction tube (203) through the nozzle (233). L'invention concerne un appareil de traitement de substrat comprenant un tube à essai (203) et un appareil de chauffage (207) chauffant une tranche de silicium (200), le triméthylaluminium (TMA) et l'ozone (O3) étant envoyés en alternance dans le tube à essai (203), de manière que soit généré un film d'Al2O3 sur la surface de la tranche (200). L'appareil comporte également des tubes d'alimentation (232a) et (232b) pour la circulation de l'ozone et du TMA et une buse (233) envoyant du gaz dans le tube à essai (203). Les deux tubes d'alimentation (232a) et (232b) sont reliés à la buse (233) disposée à l'intérieur de l'appareil chauffant (207) dans une zone se trouvant à l'intérieur du tube à essai (203), dans laquelle la température est inférieure à celle à proximité de la tranche (200) et l'ozone et le TMA sont envoyés dans le tube à essai (203) par la buse (233).