CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FILM FORMED BY PLASMA CVD PROCESS AND METHOD FOR FORMING SAME

• Main Authors: KOBAYASHI, AKIRA, HOSONO, HIROKO, KURASHIMA, HIDEO, INAGAKI, HAJIME, IEKI, TOSHIHIDE, NAMIKI, TSUNEHISA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.10.2004
• Edition: 7
• Subjects: APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PERFORMING OPERATIONS; PROCESSES FOR APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TOSURFACES, IN GENERAL; SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TRANSPORTING

A method for forming a vapor deposition film composed of a silicon oxide on a surface of a substrate is disclosed in which the substrate to be processed is held in a plasma processing chamber and a chemical plasma processing is conducted by supplying an organic silicon compound and an oxidizing gas into the processing chamber. By changing the supply rate of the oxidizing gas during formation of a deposition film while keeping the supply rate of the organic silicon compound gas at a certain fixed rate, there can be formed a chemical vapor deposition film which is excellent in adhesion, plasticity, flexibility, oxygen barrier property and moisture barrier property. L'invention concerne une méthode de formation d'un film de dépôt en phase vapeur constitué d'oxyde de silicium sur une surface d'un substrat. Dans cette méthode, le substrat à traiter est maintenu dans une chambre de traitement à plasma et un traitement par plasma chimique est effectué par l'injection d'un composé de silicium organique et d'un gaz d'oxydation dans la chambre de traitement. En changeant la vitesse d'injection du gaz d'oxydation lors de la formation d'un film de dépôt, tout en maintenant une vitesse d'injection du gaz de composé de silicium organique à une certaine vitesse fixe, on peut former un film par dépôt chimique en phase vapeur présentant une excellente adhésion, une excellente plasticité, une excellente souplesse et constituant une très bonne barrière à oxygène et une très bonne barrière à l'humidité.