OPTICAL DEFLECTION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: YAMAWAKI, HIDEKI, KONDO, MASAO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.08.2004
• Edition: 7
• Subjects: DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

An optical deflection device comprising a magnesia spinel film (22), a lower electrode (23), a lower clad layer (24), a core layer (25), and an upper electrode (26) which are successively formed on a silicon single crystal substrate (21). The PLZT films of the magnesia spinel film (22), the lower electrode (23) and the lower clad layer (24) and the PZT film of the core layer (25) are epitaxial-grown on the respective underlying layer. Refractive index changing regions (25A and 24A) with the refractive index changing by the electro-optical effect according to the voltage applied between the lower electrode (23) and the upper electrode (26) are formed, and the light incident on the core layer (25) is deflected the core layer (25) at the boundary with the refractive index changing area (25A). L'invention concerne un dispositif de déflexion optique comprenant un film (22) de spinelles d'hydroxyde de magnésium, une électrode inférieure (23), une couche de gaine inférieure (24), une couche noyau (25) et une électrode supérieure (26) successivement formées sur un substrat de silicium (21) monocristallin. Les films PLZT du film (22) de spinelles d'hydroxyde de magnésium, l'électrode inférieure (23), la couche de gaine inférieure (24) et le film PZT de la couche noyau (25) subissent une croissance par épitaxie sur la couche sous-jacente respective. Les régions de changement (25A, 24A) d'indice de réfraction, l'indice de réfraction changeant par effet électro-optique en fonction de la tension appliquée entre les électrodes inférieure (23) et supérieure (26) sont formées, et la lumière venant en incidence sur la couche noyau (25) est défléchie vers ladite couche centrale (25) au niveau de la limite avec la zone de changement (25A) d'indice de réfraction.