Système de matériaux de conversion photonique pour l'amélioration du rendement des cellules photovoltaïques c-Si

Un système optique de conversion de photon constitué par un empilement de matériaux Organiques/Inorganiques déposés sur une cellule photovoltaïque à base du silicium cristallin c-Si. Le système est formé par un matériau organique composé de feuillets d'oxyde de graphene réduit d'épaisseur...

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Main Authors SALHI Rached, MESSAOUD Mouna, ELLEUCH Mohamed Ali, ELLEUCH Ridha, CHTOUROU Radhouane, MAALEJ Ramzi
Format Patent
LanguageFrench
Published 04.04.2023
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Abstract Un système optique de conversion de photon constitué par un empilement de matériaux Organiques/Inorganiques déposés sur une cellule photovoltaïque à base du silicium cristallin c-Si. Le système est formé par un matériau organique composé de feuillets d'oxyde de graphene réduit d'épaisseur entre 1 et 2 nm déposé par la méthode drop-casting à la température 1000°C pendant 30 min, une couche mince inorganique de 20 nm de Y2O3 déposée par la méthode d'évaporation par faisceau d'électrons durant 30 min à la température ambiante 25°C et une couche mince de 220 nm de ZnO dopée au ions Er3+ et Yb3+ déposée par la méthode AACVD durant 30 min avec la température 430°C tout en utilisant des volumes mixtes de butanol/méthanol. Le système optique développé est un empilement de matériaux efficaces en conversion et en réflexion de la lumière et peut être appliqué dans l'industrie PV et plus précisément dans la technologie du silicium cristallin c-Si.
AbstractList Un système optique de conversion de photon constitué par un empilement de matériaux Organiques/Inorganiques déposés sur une cellule photovoltaïque à base du silicium cristallin c-Si. Le système est formé par un matériau organique composé de feuillets d'oxyde de graphene réduit d'épaisseur entre 1 et 2 nm déposé par la méthode drop-casting à la température 1000°C pendant 30 min, une couche mince inorganique de 20 nm de Y2O3 déposée par la méthode d'évaporation par faisceau d'électrons durant 30 min à la température ambiante 25°C et une couche mince de 220 nm de ZnO dopée au ions Er3+ et Yb3+ déposée par la méthode AACVD durant 30 min avec la température 430°C tout en utilisant des volumes mixtes de butanol/méthanol. Le système optique développé est un empilement de matériaux efficaces en conversion et en réflexion de la lumière et peut être appliqué dans l'industrie PV et plus précisément dans la technologie du silicium cristallin c-Si.
Author MAALEJ Ramzi
SALHI Rached
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