HETEROJUNCTION STRUCTURE

• Main Authors: BESPALOV VLADIMIR ALEKSANDROVICH, IL'ICHEV EHDUARD ANATOL'EVICH, RYCHKOV GENNADIJ SERGEEVICH, NABIEV RINAT MIKHAJLOVICH, KULESHOV ALEKSANDR EVGEN'EVICH, MIGUNOV DENIS MIKHAJLOVICH, PETRUKHIN GEORGIJ NIKOLAEVICH
• Format: Patent
• Language: English; Russian
• Published: 27.10.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING

FIELD: electricity.SUBSTANCE: according to the invention, heterojunction structure consists of semiconductor layers of n and p type of conductivity, which are located in series on a substrate of n type, homogeneous to semiconductor layers of n type, which are adjacent to it, and having ohmic contact to rear side. With that, on surface of n layer on the side of n-p heteroboundary there located is a massif of nanostructured objects; p layer is made in the form of a diamond film, the thickness of which does not exceed diffusion length of electrons, and concentration of acceptors in it is in the range of 10-10m.EFFECT: possibility of considerable increase of operating currents of a field radiating cathode, or field-emission diodes, increase of stability of devices to degradation and increase of their life cycle.6 cl, 1 ex, 6 dwg Изобретение может найти применение в качестве приборной структуры для твердотельных автоэмиссионных диодов и эмитирующих электроны активных элементов функциональных узлов как в твердотельной электронике, так и в вакуумной эмиссионной электронике, в том числе в силовой СВЧ электронике. Гетеропереходная структура согласно изобретению состоит из полупроводниковых слоев n- и p-типа проводимости, расположенных последовательно на подложке n-типа, гомогенной прилежащему к ней полупроводниковому слою n-типа и имеющей омический контакт к тыльной стороне, при этом на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы расположен массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не превышает диффузионную длину электронов, а концентрация акцепторов в нем находится в диапазоне 10-10м. Изобретение обеспечивает возможность значительного увеличения рабочих токов автокатода, либо автоэмиссионных диодов, повышения стойкости устройств к деградации и увеличения их рабочего ресурса. 5 з.п. ф-лы, 1 пр., 6 ил.