SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE

• Main Authors: STEVANOVIC LJUBISA D, KENNERLY STACEY J, HITCHCOCK COLLIN WILLIAM
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 디바이스 셀은 채널 영역에 인접한 JFET 영역을 포함하고, JFET 영역은 반도체 디바이스 셀의 주변부를 정의한다. JFET 영역은 JFET 중간 영역에 의해 분리된, 제1 모서리 영역과 제2 모서리 영역을 포함한다. 채널 영역의 주변부에 접해 있는 JFET 중간 영역의 가장자리로부터 반도체 디바이스 셀의 주변부까지 연장되는 JFET 중간 영역의 제1 폭은 채널 영역의 주변부에 접해 있는 제1 및 제2 모서리 영역 중 적어도 하나의 것의 가장자리로부터 반도체 셀 주변부까지 연장되는 JFET 영역의 제2 폭보다 크다. A semiconductor device cell (150) includes a JFET region (29) adjacent a channel region (28) and defines a periphery of the semiconductor device cell (150). The JFET region (29) includes a JFET segment (29c) having a first end (29a) disposed proximal a first corner (69a) of the semiconductor device cell (150) and an opposing second end (29b) proximal a second corner (69b) of the semiconductor device cell (150). The JFET segment (29c) has a first width (W1) between the first end (29a) and the second end (29b) that is greater than a second width (W2) of the JFET region (29) the first end (29a) and the second end (29b).