Substrate treatment apparatus and substrate treatment method using the same
기판을 지지하는 처킹 스테이지; 상기 처킹 스테이지에 정현파를 공급하는 정현파 발생 장치; 상기 처킹 스테이지에 비정현파를 공급하는 비정현파 발생 장치; 및 상기 정현파 발생 장치 및 상기 비정현파 발생 장치의 각각과 상기 처킹 스테이지 사이의 믹서; 를 포함하되, 상기 처킹 스테이지는: 척 바디; 및 상기 척 바디 내의 플라즈마 전극; 을 포함하고, 상기 믹서는: 상기 정현파 발생 장치와 상기 플라즈마 전극 사이의 하이 패스 필터(high pass filter); 상기 비정현파 발생 장치와 상기 플라즈마 전극 사이의 로우 패스 필...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
08.08.2024
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Summary: | 기판을 지지하는 처킹 스테이지; 상기 처킹 스테이지에 정현파를 공급하는 정현파 발생 장치; 상기 처킹 스테이지에 비정현파를 공급하는 비정현파 발생 장치; 및 상기 정현파 발생 장치 및 상기 비정현파 발생 장치의 각각과 상기 처킹 스테이지 사이의 믹서; 를 포함하되, 상기 처킹 스테이지는: 척 바디; 및 상기 척 바디 내의 플라즈마 전극; 을 포함하고, 상기 믹서는: 상기 정현파 발생 장치와 상기 플라즈마 전극 사이의 하이 패스 필터(high pass filter); 상기 비정현파 발생 장치와 상기 플라즈마 전극 사이의 로우 패스 필터(low pass filter); 및 상기 로우 패스 필터와 상기 플라즈마 전극 사이의 밴드 스톱 필터(band stop filter); 를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
A substrate treatment apparatus may include a chucking stage supporting a substrate, a sinusoidal generator supplying a sinusoidal wave to the chucking stage, a non-sinusoidal generator supplying a non-sinusoidal wave to the chucking stage, and a mixer between each of the sinusoidal and non-sinusoidal generators and the chucking stage. The chucking stage may include a chuck body and a plasma electrode in the chuck body. The mixer may include a high pass filter between the sinusoidal generator and the plasma electrode, a low pass filter between the non-sinusoidal generator and the plasma electrode, and a band stop filter between the low pass filter and the plasma electrode. |
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Bibliography: | Application Number: KR20230013771 |