Magnetic memory devices using spin current and electronic apparatuses including the same

스핀 전류를 이용하는 자기 메모리 소자와 이를 포함하는 전자장치에 관해 개시되어 있다. 예시적인 일 실시예에 의한 스핀 전류를 이용하는 자기 메모리 소자는 스핀전류채널층과, 상기 스핀전류채널층과 교차하도록 구비된 배선과, 상기 스핀전류채널층과 상기 배선의 교차 위치에 구비된 MTJ층을 포함하고, 상기 스핀전류채널층은 MgO 기반층과, 상기 MgO 기반층 상에 구비되고, 상기 MTJ층에 접촉된 베타(β)상 텅스텐(W)층을 포함한다. A magnetic memory device may include a spin current chann...

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Main Authors HASE NAOKI, PARK JUNG SIK, KIM, KWANG SEOK, RYU, JEONG CHUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 29.07.2024
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:스핀 전류를 이용하는 자기 메모리 소자와 이를 포함하는 전자장치에 관해 개시되어 있다. 예시적인 일 실시예에 의한 스핀 전류를 이용하는 자기 메모리 소자는 스핀전류채널층과, 상기 스핀전류채널층과 교차하도록 구비된 배선과, 상기 스핀전류채널층과 상기 배선의 교차 위치에 구비된 MTJ층을 포함하고, 상기 스핀전류채널층은 MgO 기반층과, 상기 MgO 기반층 상에 구비되고, 상기 MTJ층에 접촉된 베타(β)상 텅스텐(W)층을 포함한다. A magnetic memory device may include a spin current channel layer, a wiring crossing the spin current channel layer, and an MTJ layer at an intersection of the spin current channel layer and the wiring. The spin current channel layer may include an MgO-based layer and a beta (β)-phase tungsten (W) layer on the MgO-based layer. The beta (β)-phase tungsten (W) layer may be in contact with the MTJ layer.
Bibliography:Application Number: KR20230009034