Light source using epitaxial growth and manufacturing method thereof
일 실시예에 따른 광원은 서로 이격되어 배치되는 복수의 지지층, 상기 복수의 지지층 상에 배치되는 이온 결정층, 상기 이온 결정층 상에 배치되는 이차원 물질층, 및 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 이차원 물질층 상에 배치되고, 수평 방향으로 연장되어, 상기 이차원 물질층의 폭보다 큰 폭을 가지는 제1 클래드층, 상기 제1 클래드층 위에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 위에 배치되며, 제1 도전형과 전기적으로 상반되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 클래드층을 포함할 수 있다....
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Main Authors | , , , |
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
24.07.2024
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Abstract | 일 실시예에 따른 광원은 서로 이격되어 배치되는 복수의 지지층, 상기 복수의 지지층 상에 배치되는 이온 결정층, 상기 이온 결정층 상에 배치되는 이차원 물질층, 및 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 이차원 물질층 상에 배치되고, 수평 방향으로 연장되어, 상기 이차원 물질층의 폭보다 큰 폭을 가지는 제1 클래드층, 상기 제1 클래드층 위에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 위에 배치되며, 제1 도전형과 전기적으로 상반되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 클래드층을 포함할 수 있다. |
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AbstractList | 일 실시예에 따른 광원은 서로 이격되어 배치되는 복수의 지지층, 상기 복수의 지지층 상에 배치되는 이온 결정층, 상기 이온 결정층 상에 배치되는 이차원 물질층, 및 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 이차원 물질층 상에 배치되고, 수평 방향으로 연장되어, 상기 이차원 물질층의 폭보다 큰 폭을 가지는 제1 클래드층, 상기 제1 클래드층 위에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 위에 배치되며, 제1 도전형과 전기적으로 상반되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 클래드층을 포함할 수 있다. |
Author | LEE, EUN SUNG HAN, JOO HUN CHOI, JUN HEE KONG, KI HO |
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SubjectTerms | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
Title | Light source using epitaxial growth and manufacturing method thereof |
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