Light source using epitaxial growth and manufacturing method thereof

일 실시예에 따른 광원은 서로 이격되어 배치되는 복수의 지지층, 상기 복수의 지지층 상에 배치되는 이온 결정층, 상기 이온 결정층 상에 배치되는 이차원 물질층, 및 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 이차원 물질층 상에 배치되고, 수평 방향으로 연장되어, 상기 이차원 물질층의 폭보다 큰 폭을 가지는 제1 클래드층, 상기 제1 클래드층 위에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 위에 배치되며, 제1 도전형과 전기적으로 상반되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 클래드층을 포함할 수 있다....

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Main Authors HAN, JOO HUN, LEE, EUN SUNG, KONG, KI HO, CHOI, JUN HEE
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 24.07.2024
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Abstract 일 실시예에 따른 광원은 서로 이격되어 배치되는 복수의 지지층, 상기 복수의 지지층 상에 배치되는 이온 결정층, 상기 이온 결정층 상에 배치되는 이차원 물질층, 및 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 이차원 물질층 상에 배치되고, 수평 방향으로 연장되어, 상기 이차원 물질층의 폭보다 큰 폭을 가지는 제1 클래드층, 상기 제1 클래드층 위에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 위에 배치되며, 제1 도전형과 전기적으로 상반되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 클래드층을 포함할 수 있다.
AbstractList 일 실시예에 따른 광원은 서로 이격되어 배치되는 복수의 지지층, 상기 복수의 지지층 상에 배치되는 이온 결정층, 상기 이온 결정층 상에 배치되는 이차원 물질층, 및 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 이차원 물질층 상에 배치되고, 수평 방향으로 연장되어, 상기 이차원 물질층의 폭보다 큰 폭을 가지는 제1 클래드층, 상기 제1 클래드층 위에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 위에 배치되며, 제1 도전형과 전기적으로 상반되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 클래드층을 포함할 수 있다.
Author LEE, EUN SUNG
HAN, JOO HUN
CHOI, JUN HEE
KONG, KI HO
Author_xml – fullname: HAN, JOO HUN
– fullname: LEE, EUN SUNG
– fullname: KONG, KI HO
– fullname: CHOI, JUN HEE
BookMark eNqNyrkKAjEQANAUWnj9w4C1sKe9eCBoJfbLsDs5YDcTkgn6-SL4AVaveUs18-xpoU53Z6xA4hx7gpycN0DBCb4djmAiv8QC-gEm9FljLzl-y0RieQCxFIn1Ws01jok2P1dqezk_j9cdBe4oBezJk3S3R1VUTVGWzb6tD_V_6wPYtTXd
ContentType Patent
DBID EVB
DatabaseName esp@cenet
DatabaseTitleList
Database_xml – sequence: 1
  dbid: EVB
  name: esp@cenet
  url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP
  sourceTypes: Open Access Repository
DeliveryMethod fulltext_linktorsrc
Discipline Medicine
Chemistry
Sciences
DocumentTitleAlternate 에피텍시 성장을 이용한 광원 및 그 제조방법
ExternalDocumentID KR20240114653A
GroupedDBID EVB
ID FETCH-epo_espacenet_KR20240114653A3
IEDL.DBID EVB
IngestDate Fri Aug 30 05:41:55 EDT 2024
IsOpenAccess true
IsPeerReviewed false
IsScholarly false
Language English
Korean
LinkModel DirectLink
MergedId FETCHMERGED-epo_espacenet_KR20240114653A3
Notes Application Number: KR20230017570
OpenAccessLink https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240724&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240114653A
ParticipantIDs epo_espacenet_KR20240114653A
PublicationCentury 2000
PublicationDate 20240724
PublicationDateYYYYMMDD 2024-07-24
PublicationDate_xml – month: 07
  year: 2024
  text: 20240724
  day: 24
PublicationDecade 2020
PublicationYear 2024
RelatedCompanies SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD
RelatedCompanies_xml – name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD
Score 3.5016747
Snippet 일 실시예에 따른 광원은 서로 이격되어 배치되는 복수의 지지층, 상기 복수의 지지층 상에 배치되는 이온 결정층, 상기 이온 결정층 상에 배치되는 이차원 물질층, 및 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 이차원 물질층 상에 배치되고, 수평 방향으로 연장되어, 상기 이차원...
SourceID epo
SourceType Open Access Repository
SubjectTerms AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE
APPARATUS THEREFOR
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
CRYSTAL GROWTH
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
METALLURGY
PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL
SEMICONDUCTOR DEVICES
SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
SINGLE-CRYSTAL-GROWTH
UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Title Light source using epitaxial growth and manufacturing method thereof
URI https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240724&DB=EPODOC&locale=&CC=KR&NR=20240114653A
hasFullText 1
inHoldings 1
isFullTextHit
isPrint
link http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV1bS8MwFD7MKeqbTsXLlIDSt6I02dgeirheGM5dKFP2Npolm6K2w3Xoz_ectNM97S0XCEnpyck5yfd9ADfoBZScxHe2bHBuCxXX7bipua31RGD87DSkphvdbq_efhaPo9qoBB8rLIzhCf025IhoURO098zs1_P_JJZv3lYubuUbNqX34dD1rSI6NnRfwvJbbjDo-33P8jy3E1m9KO8jBG6NP2zBNhFvEdN-8NIiXMp83amEB7AzwPGS7BBK72kF9ryV9loFdrvFlTcWC-tbHIH_RJE0y_PtjF6sz5gm1Y8f_InYDAPq7JXFiWKfcbIkxIKBILJcJJrRSU-n02O4DoOh17ZxOuO_1Y870frc-QmUkzTRp8A4V5o7JBeilZBKNaUk7XAhYoFm6cgzqG4a6Xxz9wXsU5XSmI6oQjn7WupL9L-ZvDKf7RdALonm
link.rule.ids 230,308,780,885,25564,76547
linkProvider European Patent Office
linkToHtml http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV3dT8IwEL8gGvFNUeMHahPN3hbNWhAeFiMbBOUzZBrelnWtaNSNyIj--d4VUJ54a3pJ0za9Xu96v_sBXKEVUDKObmxZ5dwWKqrYUU1zW-tYoP_sVKWmH91ur9J6Eo-j8igHH0ssjKkT-m2KI6JGxajvmbmvJ_9BLN_kVk6v5Rt2pXfNwPWthXdsyn0Jy6-7jUHf73uW57ntodUbzmWEwC3z-w3YvCXOXXo8PdcJlzJZNSrNXdga4HhJtge597QIBW_JvVaE7e7iyxubC-2b7oPfIU-azePtjDLWx0wT68cPHiI2Roc6e2VRothnlMwIsWAgiGxOEs3opafTlwO4bDYCr2XjdMK_1Yft4erc-SHkkzTRR8A4V5o7RBeilZBK1aQk7nAhIoFq6chjKK0b6WS9-AIKraDbCTsPvfYp7JCIQpqOKEE--5rpM7TFmTw3W_gL4PWM1w
openUrl ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=Light+source+using+epitaxial+growth+and+manufacturing+method+thereof&rft.inventor=HAN%2C+JOO+HUN&rft.inventor=LEE%2C+EUN+SUNG&rft.inventor=KONG%2C+KI+HO&rft.inventor=CHOI%2C+JUN+HEE&rft.date=2024-07-24&rft.externalDBID=A&rft.externalDocID=KR20240114653A