Light source using epitaxial growth and manufacturing method thereof

• Main Authors: HAN, JOO HUN, LEE, EUN SUNG, KONG, KI HO, CHOI, JUN HEE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.07.2024
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

일 실시예에 따른 광원은 서로 이격되어 배치되는 복수의 지지층, 상기 복수의 지지층 상에 배치되는 이온 결정층, 상기 이온 결정층 상에 배치되는 이차원 물질층, 및 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 이차원 물질층 상에 배치되고, 수평 방향으로 연장되어, 상기 이차원 물질층의 폭보다 큰 폭을 가지는 제1 클래드층, 상기 제1 클래드층 위에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 위에 배치되며, 제1 도전형과 전기적으로 상반되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 클래드층을 포함할 수 있다.