SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: LEE DONGHWA, CHOI DONGSUNG, KIM BYONGJU, JUNG JAEMIN, PARK KWANGMIN, PARK WONJUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.07.2024
• Subjects: ELECTRICITY

실시예에 따른 반도체 장치는, 기판 상에 교대로 적층된 층간 절연층 및 게이트 전극을 포함하는 적층 구조물과, 적층 구조물을 관통하여 기판에 교차하는 방향으로 연장되는 채널층과, 게이트 전극과 채널층 사이에 위치하며 채널층 상에 차례로 위치하는 터널링층, 전하 저장층 및 블로킹층을 포함하는 게이트 유전층을 포함할 수 있다. 터널링층은 탄소를 포함하며 전하 저장층보다 상기 채널층에 인접하여 위치하는 탄소 포함막을 포함할 수 있다. A semiconductor device includes a substrate; a stack structure including an interlayer insulating layer and a gate electrode which are alternately stacked on the substrate; a channel layer extending in a direction crossing the substrate through the stack structure; and a gate dielectric layer between the gate electrode and the channel layer, the gate dielectric layer including a tunneling layer, a charge storage layer, and a blocking layer sequentially on the channel layer, wherein the tunneling layer includes a carbon-containing layer including carbon, and the tunneling layer is positioned closer to the channel layer than it is to the charge storage layer.