핵생성 억제를 이용한 피처 충진

• Main Authors: CHANDRASHEKAR ANAND, TRAN SON VO NAM, LIU GANG L, PILLSBURY TIMOTHY SCOTT
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 22.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

금속 핵생성 (metal nucleation) 의 억제를 포함하는, 금속으로 피처들 (features) 을 충진하는 방법들이 본 명세서에 제공된다. 본 개시의 일 양태는 피처 및 필드 영역들을 갖는 기판을 제공하는 단계로서, 피처는 금속으로 충진되고, 피처는 피처 표면들 및 피처 개구부를 포함하는, 기판을 제공하는 단계; 피처 표면들 중 적어도 일부 피처 표면들 상에 금속 증착을 억제하도록 억제 처리를 수행하는 단계; 억제 처리를 수행하는 단계 후에, 피처를 금속 전구체 및 수소 (H2) 에 노출시키는 것을 포함하는 제 1 화학적 기상 증착 (CVD) 동작을 수행하는 단계; 제 1 CVD 동작을 수행하는 단계 후에, 억제를 감소시키기 위해 탈억제 처리를 수행하는 단계; 및 억제를 감소시킨 후에, 피처 또는 필드 영역들 중 적어도 하나에 금속을 증착하도록 제 2 CVD 동작을 수행하는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다. Provided herein are methods of filling features with metal including inhibition of metal nucleation. One aspect of the disclosure relates to a method including providing a substrate having a feature and field regions, wherein the feature is to be filled with metal, the feature including feature surfaces and a feature opening: performing an inhibition treatment to inhibit metal deposition on at least some of the feature surfaces; after performing the inhibition treatment, performing a first chemical vapor deposition (CVD) operation including exposing the feature to a metal precursor and hydrogen (H2); after performing the first CVD operation, performing a de-inhibition treatment to decrease inhibition; and after decreasing inhibition, performing a second CVD operation to deposit metal in the feature and/or on the field regions.