기판 처리 방법과 기판 처리 장치
본 발명은, 기판 처리 방법과 기판 처리 장치에 관한 것이다. 기판 처리 방법은, 기판을 처리하기 위한 것이다. 기판은, 기판의 표면에 형성된 패턴을 갖는다. 기판 처리 방법은, 친수화 공정과 제1 공급 공정과 고화막 형성 공정과 승화 공정을 구비한다. 친수화 공정에서는, 히드록시기가 기판의 표면에 형성된다. 제1 공급 공정에서는, 히드록시기를 갖는 기판에, 건조 보조액이 공급된다. 건조 보조액은, 승화성 물질과 제1 용매를 포함한다. 승화성 물질은, 옥심기를 포함하는 유기 화합물을 포함한다. 고화막 형성 공정에서는, 제1 용매는...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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21.06.2024
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Summary: | 본 발명은, 기판 처리 방법과 기판 처리 장치에 관한 것이다. 기판 처리 방법은, 기판을 처리하기 위한 것이다. 기판은, 기판의 표면에 형성된 패턴을 갖는다. 기판 처리 방법은, 친수화 공정과 제1 공급 공정과 고화막 형성 공정과 승화 공정을 구비한다. 친수화 공정에서는, 히드록시기가 기판의 표면에 형성된다. 제1 공급 공정에서는, 히드록시기를 갖는 기판에, 건조 보조액이 공급된다. 건조 보조액은, 승화성 물질과 제1 용매를 포함한다. 승화성 물질은, 옥심기를 포함하는 유기 화합물을 포함한다. 고화막 형성 공정에서는, 제1 용매는 기판 상의 건조 보조액으로부터 증발된다. 고화막 형성 공정에서는, 고화막이 기판 상에 형성된다. 고화막은, 승화성 물질을 포함한다. 승화 공정에서는, 고화막은 승화한다.
The present invention relates to a substrate treating method and a substrate treating apparatus. The substrate treating method is for treating the substrate. The substrate has a pattern formed on a surface of the substrate. The substrate treating method includes the hydrophilization step, the first supplying step, the solidified film forming step, and the sublimation step. In the hydrophilization step, the hydroxy group is formed on the surface of the substrate. In the first supplying step, the drying auxiliary liquid is supplied to the substrate having the hydroxy group. The drying auxiliary liquid contains the sublimable substance and the first solvent. The sublimable substance contains an organic compound containing an oxime group. In the solidified film forming step, the first solvent evaporates from the drying auxiliary liquid on the substrate. In the solidified film forming step, the solidified film is formed on the substrate. The solidified film contains the sublimable substance. In the sublimation step, the solidified film is sublimated. |
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Bibliography: | Application Number: KR20247016817 |