MICROMECHANICAL ENVIRONMENTAL BARRIER CHIP AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: FUELDNER MARC, MAIER DOMINIC, ANZINGER SEBASTIAN, STREB FABIAN, WASISTO HUTOMO SURYO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.06.2024
• Subjects: MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING

미세기계적 환경 배리어 칩(500)을 제조하기 위한 방법이 본원에서 개시되고, 그 방법은 제1 표면(201) 및 대향하는 제2 표면(202)을 갖는 기판(200)을 제공하는 단계, 기판(200)의 제1 표면(201) 상에 재료 층(210)을 퇴적하는 단계 ― 재료 층(210)은 기판(200)과 상이한 에칭 특성을 가짐 ―, 미세구조화 프로세스를 적용함으로써 재료 층(210)의 최상부 상에 미세구조화된 미세기계적 환경 배리어 구조체(220)를 생성하는 단계, 미세기계적 환경 배리어 구조체(220) 아래에 적어도 제1 공동(230)을 생성하기 위해 기판(200)의 제2 표면(202)으로부터 제1 표면(201)을 향해 이방성 에칭하기 위한 적어도 하나의 에칭 단계를 포함하는 이방성 에칭 프로세스를 적용하는 단계 ― 공동(230)은 제2 표면(202)과 재료 층(10) 사이에서 연장됨 ―, 및 환경 배리어 구조체(220)를 노출시키기 위해 미세기계적 환경 배리어 구조체(220) 아래의 재료 층(210)을 제거하는 단계를 포함한다. Described herein is a method for manufacturing a micromechanical environmental barrier chip (500), the method comprising a step of providing a substrate (200) having a first surface (201) and an opposite second surface (202), a step of depositing a material layer (210) onto the first surface (201) of the substrate (200), the material layer (210) having a different etch characteristic than the substrate (200), a step of creating a microstructured micromechanical environmental barrier structure (220) on top of the material layer (210) by applying a microstructuring process, a step of applying an anisotropic etching process comprising at least one etching step for anisotropically etching from the second surface (202) towards the first surface (201) of the substrate (200) so as to create at least a first cavity (230) underneath the micromechanical environmental barrier structure (220), the cavity (230) extending between the second surface (202) and the material layer (210), and a step of removing the material layer (210) underneath the micromechanical environmental barrier structure (220) in order to expose the environmental barrier structure (220).