SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF
본 개시는 반도체 디바이스에서의 포크시트 구조체(forksheet structure) 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 개시에 따른 포크시트 구조체는 게이트 구조체 내부의 2개의 채널 영역 사이에 배치되고 측벽 스페이서를 통해 소스/드레인 영역으로 연장되지 않는 유전체 벽을 포함한다. 일부 실시형태에서, 커트 금속 게이트(cut metal gate; CMG) 유전체 구조체는 유전체 벽과 함께 게이트 구조체로 형성된다. 게이트 유전체 층은 유전체 벽과 접촉한다. 일부 실시형태에서, 유전체 층은 채널 영역에서의 반도체 채널을 둘러싼다....
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
16.05.2024
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