열전도성 필름

본 발명은, (A)DmTΦpDVin(식 중, D는 (CH3)2SiO2/2, TΦ는 (C6H5)SiO3/2, DVi는 (CH3)(CH2=CH)SiO2/2로 표시되는 실록산단위이며, m은 35~55의 정수, n은 30~60의 정수, p는 40~70의 정수이다.), 또는 MLDxTΦqDViy(식 중, M은 (CH3)3SiO1/2이며, L은 10~30의 정수, x는 15~35의 정수, y는 40~60의 정수, q는 45~55의 정수이다.)로부터 선택되는 1종 이상의 25℃에서 비유동성을 갖는 실리콘수지: 100질량부, (B)융점이 20~6...

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Main Authors AKABANE EMI, ENDO AKIHIRO, ISHIHARA YASUHISA
Format Patent
LanguageKorean
Published 10.05.2024
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