EUV 레지스트의 하이브리드 현상

• Main Authors: MURAMATSU MAKOTO, DINH CONG QUE, HULI LIOR, NAGAHARA SEIJI, RALEY ANGELIQUE, GRZESKOWIAK STEVEN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.04.2024
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

미세 가공 방법은, 반도체 웨이퍼의 작업 표면 상에 포토레지스트 막을 증착하는 단계로서, 포토레지스트 막은 극자외선 방사선에 감응성인, 단계; 포토레지스트 막을 극자외선 방사선의 패턴에 노광시키는 단계; 포토레지스트 막의 하이브리드 현상을 수행하는 단계를 포함한다. 하이브리드 현상은, 포토레지스트 막의 제1 부분을 제거하기 위한 제1 현상 공정을 수행하는 단계; 제1 현상 공정 후에 포토레지스트 막의 현상을 중단하는 단계로서, 포토레지스트 막은, 중단 후에 타겟 임계 치수보다 더 큰 제1 임계 치수를 갖는 구조물을 포함하는, 단계; 및 현상을 중단한 후에, 포토레지스트 막의 제2 부분을 제거하기 위한 제2 현상 공정을 수행하고, 제1 임계 치수로부터 제1 임계 치수 미만인 제2 임계 치수로 구조물의 임계 치수를 축소시키는 단계를 포함한다. A method of microfabrication includes depositing a photoresist film on a working surface of a semiconductor wafer, the photoresist film being sensitive to extreme ultraviolet radiation; exposing the photoresist film to a pattern of extreme ultraviolet radiation; performing a hybrid develop of the photoresist film. The hybrid develop includes executing a first development process to remove a first portion of the photoresist film; stopping the development of the photoresist film after the first development process, the photo resist film including a structure having a first critical dimension larger than a target critical dimension after the stopping; and after stopping the development, executing a second development process to remove a second portion of the photoresist film and shrinking the critical dimension of the structure from the first critical dimension to a second critical dimension that is less than the first critical dimension.