APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE

• Main Authors: LEE JU SEOK, PARK SANG JONG, LEE JUN HYEOK, CHO HYEONG SHIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.04.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은 챔버 내의 처리 공간으로 가스를 공급하고 상기 가스를 여기시켜, 기판에 형성된 복수의 박막들과, 상기 박막들의 상측에 위치하는 하드 마스크 막 중 상기 하드 마스크 막을 기판으로부터 제거하되, 상기 하드 마스크 막은, 카본을 제외한 브론 및/또는 메탈을 포함할 수 있다. The present invention provides a method for processing a substrate. A method for processing a substrate, according to one embodiment, supplies a gas to a processing space in a chamber, and excites the gas to remove a plurality of thin films formed on a substrate and a hard mask film among hard mask films located on top of the thin films, wherein the hard mask film may include boron and/or a metal other than carbon.