레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법

• Main Authors: SUZUKI HIROAKI, HISHIDA MITSUOKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 11.04.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

레이저 어닐링 장치(1)는 아몰퍼스 실리콘 막(W1)에 레이저 광(Li)을 조사하여 어닐링 처리한다. 레이저 어닐링 장치는 서로 상이한 파장(λi)의 레이저 광을 출사하는 복수의 레이저 발진기(2i)와, 각 레이저 발진기로부터 출사된 레이저 광을 회절하는 회절 격자(3)와, 각 레이저 발진기에 의한 레이저 광의 출사의 온/오프를 전환하는 제어부(6)를 구비한다. 각 레이저 발진기는, 출사된 레이저 광이 회절 격자에 의해 동일한 광축(A) 상에 회절되도록, 서로 상이한 개소에 배치되어 있다. 제어부는, 아몰퍼스 실리콘 막의 임의의 결정립 사이즈에 따라서, 복수의 레이저 발진기 중에서, 레이저 광의 출사를 온으로 하는 레이저 발진기를 적어도 1개 이상 선택 가능하다. Laser annealing device (1) irradiates amorphous silicon film (W1) with laser beam (Li) to perform an annealing process. The laser annealing device includes: a plurality of laser oscillators (2i) that emit laser beams having mutually different wavelengths (λi); diffraction grating (3) that diffracts the laser beams emitted from the laser oscillators; and controller (6) that switches on and off states of emission of the laser beams by the laser oscillators. The laser oscillators are disposed at mutually different positions, and the laser beams emitted from the laser oscillators are diffracted on identical optical axis (A) by the diffraction grating. The controller can select at least one or more of the laser oscillators for turning on emission of the laser beams from among the plurality of laser oscillators in accordance with any crystal grain size of the amorphous silicon film.