기판의 처리 방법, 약액 및 약액의 제공 방법

• Main Authors: WADA YUKIHISA, NAMIKI TAKUMI, WAKIYA KAZUMASA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 09.04.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

표면에 요철의 패턴이 형성된 기판의 상기 표면을 처리하는, 기판의 처리 방법으로서, 상기 기판의 표면을, 물을 포함하는 린스액으로 린스하는, 린스 공정 S101 과, 상기 린스된 기판의 표면에 약액을 접촉시키고, 상기 기판의 표면에 부착된 액체를 상기 린스액으로부터 상기 약액으로 치환하는, 약액 치환 공정 S102 와, 상기 약액으로 젖은 상기 기판을, 상기 약액의 임계 온도 이상으로 승온하여, 상기 약액을 초임계 상태로 하는 상태 변화 공정 S103 과, 상기 초임계 상태의 약액을 상기 기판의 표면으로부터 제거하는 제거 공정 S104 를 갖고, 상기 약액은, 물보다 비중이 큰 유기 용매 (S1) (단, 불소 원자를 갖는 유기 용매는 제외한다) 를 함유하는, 기판의 처리 방법. The present invention provides a method for method substrates, for processing the surface of a substrate having an uneven pattern formed on the surface, the method having: a rinsing step S101 for rinsing the surface of the substrate with a rinsing liquid that contains water; a chemical solution replacement step S102 for bringing a chemical solution into contact with the rinsed surface of the substrate, and replacing liquid adhering to the surface of the substrate from the rinsing liquid to the chemical solution; a state change step S103 for raising the temperature of the substrate wetted by the chemical solution to the critical temperature of the chemical solution or higher to bring the chemical solution into a supercritical state; and, a removal step S104 for removing the chemical solution in the supercritical state from the surface of the substrate, the chemical solution containing an organic solvent (S1) having a greater specific gravity than water (excluding, however, organic solvents having fluorine atoms).